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Intelが相変化メモリを2007年前半にサンプル出荷」記事へのコメント

  • タレコミにもあったEETimes Jaoanの記事 [eetimes.jp]より。
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    90nmプロセス技術で製造した128Mビット相変化メモリー(PRAM:Phase-change RAM)のサンプル出荷を2007年前半に開始する予定であることを発表した。量産は、2007年末に始める計画だ。

    「PRAMは、NOR型フラッシュ・メモリーを置き換えるメモリー技術として登場したものの、現在では、その性能の高さから幅広いアプリケーションで使えると期待されている。このため、さまざまな電子機器のDRAMを置き換えるメモリー技術として注目を集めている」(同社)。
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    二つの件に分けましたが、今年前半にサンプル出荷・量産
    • >>主記憶に使うには(ECCやパリティなどの誤り訂正・検出技術なども使って)二桁三桁は書き込み寿命が上がらないと厳しいような。

      現場サイドで言うと
      今のトレンドは寿命ではないです
      製品自体のライフサイクルが激しいので「より新しい」ものが好まれております。

      保証期間は、それらの製品に明記されておりますがおおよそ1年。
      現行のフラッシュメモリーでも通常の使用で最低でも3年は持つ計算なので問題ないです。
      • >>>主記憶に使うには

        と引用しておいて、フラッシュメモリー製品のライフサイクルを持ち出しても意味ナス
        • 意味はなくないですよ。

          そもそもフラッシュメモリーを主記憶にしている端末って多いし
          逆に、「えっ~!!」そんなところにフラッシュメモリーつかっているの~
          で、メモリーが壊れたらどーすんのよって話は良くあること。

          と言うか。
          半導体フラッシュメモリーのライフサイクルより
          製品自体のライフサイクルが先って事が言いたかった・・・
          • by Anonymous Coward on 2007年03月11日 17時05分 (#1124302)
            「端末開発の現場」ではそうなのかも知れんけど、メモリの開発で「製品のライフサイクル」が短いから、
            寿命も短くて良い、なんてことはしてないよ。そりゃ、「携帯電話なんて10年も使わんだろ」という話題は
            は度々出るけど、だからといって今のところ「信頼性保証は3年で良い」なんて事になってない。
            それから、携帯電話や携帯ゲームの主記憶に使ってるフラッシュって疑似SRAMや低消費電力のDRAMなんかと
            セットで使うことが多いので、必要以上に書き換えないようになっている。

            さすがにACだな
            親コメント

吾輩はリファレンスである。名前はまだ無い -- perlの中の人

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