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IBM、3DスタッキングのためのThrough-Silicon Via技術を開発」記事へのコメント

  • by Anonymous Coward
    2層にすれば熱密度も2倍。配線最適化で更に集積度アップ。
    何も考えずに多層化に突っ走ると排熱が追い付かない気も。
    • by Anonymous Coward on 2007年04月14日 23時19分 (#1142871)
      既存のスタック技術よりもダイ間の配線長を短く出来るので、
      理論的には消費電力を下げられますので当然発熱量も少なくて済みます。

      また 1ダイでおなじ規模の回路を構成した場合ですが
      こちらも階層構造であることを利用することで各ブロック間の距離を短くすることも
      可能でしょうから、場合によっては多少の省電力化を見込めるでしょう。
      # これが理由で今回の技術が用いられることは無いでしょうが…

      ということで、お値段と歩留まり、設計/検証する側の苦労のことを考えなければ良いことづくめの技術だと思いますよ。
      親コメント
      • by Anonymous Coward on 2007年04月15日 0時35分 (#1142895)
        熱サイクルによるビアとダイでの破壊発生がやばげに見える。
        しかもビア周辺のダイ諸共破壊に3000ガバス。
        ワイヤボンディングなら逃がし様があるが、はてさてこいつはどうだろうか。
        ということで、市場実績を様子見ですかねぇ。

        /// シリコンは物理強度が弱くて困る。別の材料はまだかねぇ。
        親コメント
      • 電気抵抗が小さくなるから電圧を下げられるってことでしょうか

「毎々お世話になっております。仕様書を頂きたく。」「拝承」 -- ある会社の日常

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