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中村氏の特許の内容」記事へのコメント

  • 特2628404号「窒素化合物半導体結晶膜の成長方法」

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    • by ozuma (5119) on 2002年09月22日 13時23分 (#170232) ホームページ 日記

      Thanksです。どうやら

      • 発明の名称:半導体結晶膜の成長方法
      • 出願日:平成2年(1990)10月25日
      • 登録日:平成9年(1997)4月18日
      • 特許請求の範囲:加熱された基板の表面に,基板に対して平行ないし傾斜する方向と,基板に対して実質的に垂直な方向からガスを供給して,加熱された基板の表面に半導体結晶膜を成長させる方法において,基板の表面に平行ないし傾斜する方向には反応ガスを供給し,基板の表面に対して実質的に垂直な方向には,反応ガスを含まない不活性ガスの押圧ガスを供給し,不活性ガスである押圧ガスが,基板の表面に平行ないし傾斜する方向に供給される反応ガスを基板表面に吹き付ける方向に方向を変更させ,半導体結晶膜を成長させることを特徴とする半導体結晶膜の成長方法。(図1)

      のようです。……勝手に引用して良かったのかな。引用元:特2628404号。と明記しておこう。

      ってか、単に「基板」って書いてあるだけでサファイア基板じゃないし、「反応ガス」ってだけで今回のGaNで使うラジカルな窒素に限定しているわけじゃ無いのですね。

      これじゃ将来的に何か別の材料でMOCVDやろうとしても、すぐに特許に引っ掛かってしまいそうな気がする
      いや、Two-Flow にしようと考えついた、ってコトはやはりスゴいコトなのでしょうが

      親コメント
      • 404は確かTwo flow、即ち(サファイア)基板に不活性ガスを垂直方向に吹き付け、次に傾斜方向から(GaN結晶の)原料ガスを吹き付けることでGaN半導体を製造する技術だった気がします

        その他の、例えばドライエッチング方法(2654454)、デバイス構造、キャリア濃度制御のような周辺特許とは異なり、GaN系青色発光半導体の基本特許の一つで、GaN系LEDの製造には避けては通れない特許だそうです
        親コメント

日々是ハック也 -- あるハードコアバイナリアン

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