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研究開発が進む次世代不揮発メモリ「スピン注入メモリ」」記事へのコメント

  • ちなみにSTTはSpin Torque Transferの略。
    最近ホットな研究分野ですね。と、磁性の研究やってるのでコメント。

    反転電流下げるためには垂直磁化MTJ(Magnetic Tunneling Junction, 磁気トンネル接合素子)を使って、かつLLG(Landau-Lifshitz-Gilbert)方程式のGilbert制動項のαで表されるダンピング定数を小さくするといいと言われています。
    ただし、反転速度はαが大きい方が速いとされてるので、難しいですね(それでも十分速く反転できるということのようですが)。
    ちなみにαは通常、材料固有で、LLGの数式上は1に近いほど速いことになるのですが、HDDとかに使ってるCoPtCr系の材料は0.01~0.05と非常に小さい・・・それでもSTT-MRAM研究してる人にとっては大きいらしいですが。

    ということで、MTJにいったいどんな材料を使ってるのかが個人的には気になるのでした。

    • by Anonymous Coward on 2010年12月10日 14時36分 (#1871904)
      > スピン注入MRAMですね

      昔のMRAMとは全く原理が異なるので、スピン注入MRAMとは言わず、STT-RAMと別物扱いになっていると思います。 (FlashとEEPROMって別物扱いですよね?)
      親コメント
      • 従来型のMRAM(電流磁場方式)と方式は違いますが、MRAMの種類の一つとしてスピン注入方式のMRAMは認知されていると思います。少なくとも、別扱いという話は聞いたことがありません。
        「STT-RAM」という表現って、PC Watchとかではよく見るけど、論文や学会発表等では「STT-RAM」より「STT-MRAM」という方が多いように感じます。

        ということで、「STT-MRAM」と「STT-RAM」をGoogle Scholarで検索してみました。
        STT-RAM [google.co.jp]: 171件
        STT-MRAM [google.co.jp]: 290件

        なお、STT(Spin Torque Transfer)を日本語訳した「スピン注入」で、"スピン注入MRAM"としても1件はヒットしました。
        「スピン注入 MRAM」と分けて検索すれば48件ヒットしました。

        ちなみに、普通のGoogleで検索すると、STT-RAM:6530件、STT-MRAM:59500件、"スピン注入MRAM":7650件、"スピン注入メモリ":14700件。
        一般的なウェブサイトで日本語表記するときには「スピン注入MRAM」より「スピン注入メモリ」という人が多いよう・・・。ただしGoogle Scholarで"スピン注入メモリ"は1件もヒットしないことを追記しておきます(「スピン注入メモリ」と論文等で書く研究者はほとんどいない)。

        最後に、FlashはEEPROMと別扱いなのではなく、FlashはEEPROMの種類として扱われてると思います。
        少なくとも自分の使ってた大学院の教科書ではそうなってます。
        市販レベルの製品(USBメモリなど)をさしてEEPROMという人を見たことはないですが・・・半導体は専門外につき深くは書けません。詳しい方フォローをお願いします。

        親コメント

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