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研究開発が進む次世代不揮発メモリ「スピン注入メモリ」」記事へのコメント

  • ちなみにSTTはSpin Torque Transferの略。
    最近ホットな研究分野ですね。と、磁性の研究やってるのでコメント。

    反転電流下げるためには垂直磁化MTJ(Magnetic Tunneling Junction, 磁気トンネル接合素子)を使って、かつLLG(Landau-Lifshitz-Gilbert)方程式のGilbert制動項のαで表されるダンピング定数を小さくするといいと言われています。
    ただし、反転速度はαが大きい方が速いとされてるので、難しいですね(それでも十分速く反転できるということのようですが)。
    ちなみにαは通常、材料固有で、LLGの数式上は1に近いほど速いことになるのですが、HDDとかに使ってるCoPtCr系の材料は0.01~0.05と非常に小さい・・・それでもSTT-MRAM研究してる人にとっては大きいらしいですが。

    ということで、MTJにいったいどんな材料を使ってるのかが個人的には気になるのでした。

アレゲはアレゲを呼ぶ -- ある傍観者

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