「8Gbitの相変化メモリが実現」記事へのコメント

これ、

[Anonymous Coward]

何回ぐらい書換えできるん？

Re:

[manmos (29892)]

参照リンク読もうよ。

書き換え寿命の測定データも公表した。100万回の書き換えでも抵抗値のばらつきに変化はほとんどみられず、劣化は発生していないようだ。

Re:

[shinshimashima (9763)]

メインメモリに使うのなら100万回って1秒もかからず到達する値ですよね。
DRAM代替ならもう6桁以上必要だと思うんだけど。
当面はフラッシュROMの代替がターゲットなのかな？

Re:これ、

[kogd9 (45248)]

>>劣化は発生していないようだ
なので書き換え回数限界は記事からは判断できませんね。
集積度がさらに上がってDRAMを超えるようになるなら、冗長化して信頼度を無理やりあげる事もできるかもしれません。

Re:これ、

[shinshimashima (9763)]

>>なので書き換え回数限界は記事からは判断できませんね。
文章上はそうなのですが、256bit幅で133MB/sってことは16MHz以上で動作してる訳で、試験回数をもう3ケタ、10億回にしたって（同一の256bitのみ書き換え続れば）およそ60秒ほどで済む。この程度のデータを採ってないはずがなく、発表してないってことはその程度の寿命しか持たないと考えるべきかと思われます。

>>冗長化して信頼度を無理やりあげる
冗長化して信頼性を上げても寿命は伸びないでしょ。やるとすればフラッシュみたいに書き込み箇所を能動的に分散させるくらいしか思い浮かばないんだけど、メインメモリの速度でそれが可能とは思えん。

なんでやっぱりフラッシュの代替からなのかな？

Re:

[Anonymous Coward]

>>その程度の寿命しか持たないと考えるべきかと思われます
なぜ？

Re:これ、

[shinshimashima (9763)]

だから、10億回の試験も簡単にできるのに100万回のデータしか出してこないから。

Re:

[Anonymous Coward]

発表してないから。
不都合なことは伏せているって、行間読めよ。
言わせんなよ、恥ずかしい。

Re:

[Anonymous Coward]

まあ、まだ試作段階なので、これからなんじゃない?
他社に対する牽制と見てもいいと思う。

Re:

[Anonymous Coward]

無理やりマイナスに取ったって事でしょ？

Re:

[Anonymous Coward]

フラッシュメモリに比べて十分に長寿命なことを示すならそれで十分でしょ。PRAMの書き換え回数は10^12回程度だよ。

Re:

[Anonymous Coward]

いや、行間ですらない。
ただ、日本語に不自由しているのと思わ
NO CARRIER

(オフトピ: -1)

[shibuya (17159)]

いいっぱなしの放り投げ感がたまらん。
正符号で評価すると
+++

Re:

[Anonymous Coward]

でも100万回なら数秒で試験できるはずだから，
当然1000万回とかでは劣化するのを隠しているだけでは？

計ってないわけ無いよね？

Re:

[Anonymous Coward]

推測したらあかんのか。へー。

Re:

[Anonymous Coward]

妄想は日記にどうぞ。