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Silicon の結晶格子は 0.6nm 間隔だったと思います。すなわち 5nm で 8 個程度、5nm^3の空間で 512 個程度。これに donor や acceptor を疎らに打ち込んで P型/N型 の半導体領域を作れるなんて素人には信じられません。
FinFET などと Z 軸方向に深くするとしても「そんなものたかがいれているだろ」として思えません。「本当に絶縁領域を確実に設けられるの」と思います。
ましてや、そのようなトランジスタを一億個近く数cm^2 の領域に押し込んで、一つも誤動作せずに動かすなんてできるとも思えません。
詳しい人、P型/N型 領域、絶縁領域の寸法と精度、そこに放り込まれる donor/acceptorの個数と その統計誤差を教えてもらえますでしょうか。
筐体に収められた大量のトランジスタ。正常に機能しているかどうかは実際に個々体を検査するまではわからず、検査した瞬間に初めて状態が確定する。つまり、既存の技術のみで完成された量子素子なのである。
どこが5nmと言ってないのがミソかと。最近の14nmとかも実際に14nmなところはないとか聞いたような気がします。
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アレゲはアレゲを呼ぶ -- ある傍観者
5nm のトランジスタなんて動くの？ (スコア:0)
Silicon の結晶格子は 0.6nm 間隔だったと思います。すなわち 5nm で 8 個程度、5nm^3
の空間で 512 個程度。これに donor や acceptor を疎らに打ち込んで P型/N型 の半導
体領域を作れるなんて素人には信じられません。
FinFET などと Z 軸方向に深くするとしても「そんなものたかがいれているだろ」とし
て思えません。「本当に絶縁領域を確実に設けられるの」と思います。
ましてや、そのようなトランジスタを一億個近く数cm^2 の領域に押し込んで、一つも誤
動作せずに動かすなんてできるとも思えません。
詳しい人、P型/N型 領域、絶縁領域の寸法と精度、そこに放り込まれる donor/acceptor
の個数と その統計誤差を教えてもらえますでしょうか。
Re: (スコア:0)
筐体に収められた大量のトランジスタ。
正常に機能しているかどうかは実際に個々体を検査するまではわからず、検査した瞬間に初めて状態が確定する。
つまり、既存の技術のみで完成された量子素子なのである。
Re: (スコア:0)
どこが5nmと言ってないのがミソかと。
最近の14nmとかも実際に14nmなところはないとか聞いたような気がします。