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NANDが3D化したんだし、DRAMやロジックも3D化してもいいとおもう
フラッシュの3D化でもトランジスタは一番下のSi単結晶上にしか作っていないよね
これは嘘ですよ。NANDフラッシュメモリの構造はスイッチ動作するMOSトランジスタが直列に繋がったものであり、MOSトランジスタ自体が1個の記憶セルとして動作します。3D NANDでは、縦方向に積み上げた64個とか96個の記憶セルの1個1個がMOSトランジスタ。
ちなみにDRAMの3D化はもう実現してます。パッケージレベルでは3D化が既に一般的で、みんなが使ってるスマホのほとんどは、CPUの上にDRAMパッケージを積層した構造です。CPUの上にDRAMウエハを数枚重ねた状態になってます。DRAM自体はウエハを5umぐらいに薄くしても動作することが実証されて、コスト無視したら数十層重ねたものが作れるという状況です。
ロジックの3D化はまだ研究開発段階ですね。CMOSロジックはPMOS+NMOSで構成されてますが、PMOS、NMOSを別の層で上下方向に2層重ねて作るのが当面の目標です。
こういうの [impress.co.jp]を3Dと呼ぶとは初耳だ
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日々是ハック也 -- あるハードコアバイナリアン
3Dロジックプロセスは？ (スコア:0)
NANDが3D化したんだし、DRAMやロジックも3D化してもいいとおもう
Re:3Dロジックプロセスは？ (スコア:1)
フラッシュの3D化でもトランジスタは一番下のSi単結晶上にしか作っていないよね
Re: (スコア:0)
これは嘘ですよ。
NANDフラッシュメモリの構造はスイッチ動作するMOSトランジスタが直列に繋がったものであり、MOSトランジスタ自体が1個の記憶セルとして動作します。
3D NANDでは、縦方向に積み上げた64個とか96個の記憶セルの1個1個がMOSトランジスタ。
ちなみにDRAMの3D化はもう実現してます。
パッケージレベルでは3D化が既に一般的で、みんなが使ってるスマホのほとんどは、CPUの上にDRAMパッケージを積層した構造です。
CPUの上にDRAMウエハを数枚重ねた状態になってます。
DRAM自体はウエハを5umぐらいに薄くしても動作することが実証されて、コスト無視したら数十層重ねたものが作れるという状況です。
ロジックの3D化はまだ研究開発段階ですね。
CMOSロジックはPMOS+NMOSで構成されてますが、PMOS、NMOSを別の層で上下方向に2層重ねて作るのが当面の目標です。
Re: (スコア:0)
こういうの [impress.co.jp]を3Dと呼ぶとは初耳だ