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ニコン、映像事業だけでなく半導体装置事業でもIntelリスクで苦しむ」記事へのコメント

  • > もう一つの柱である半導体製造装置事業でも先行きが不透明なことから苦しんでいるという。

    これ少なくとも2016年以前からですよね。。。

    EUV露光は技術的に困難かつ増大化する開発コスト嫌ったとかで事実上開発中止して
    ArF液浸露光に注力したけど開発の遅延で半導体露光装置事業は赤字続きで
    リストラ1000人募ったら1000人を超える応募があったとか聞いたな。

    # カメラは市場規模がここ数年二桁減だった気がした。
    # Nikonは一眼などプロ向けの需要に舵切ったけどそれが悪く働いた。

    • by Anonymous Coward

      ニコンは十年近く前に社長が将来 EUV が実用化されることは技術的にありえないとか言って撤退。
      そのさらに十年以上前には Panasonic の半導体事業のトップが EUV なんか出来るわけないと断言してコンソーシアムから脱退。

      日本発の技術なのに何やってんでしょうね,日本の製造業は。

      • by Anonymous Coward

        > 日本発の技術なのに

        なんか勘違いしてない?

        • by Anonymous Coward on 2020年11月27日 14時21分 (#3931767)

          極端紫外線(EUV)を光源とする反射型縮小リソグラフィを発案したのは日本人みたいだから、その事を言っているんじゃないの。
          https://www.mst.or.jp/portals/0/prize/japanese/winners/semiconductor/s... [mst.or.jp]

           情報化社会の進展に伴い、コンパクトな大容量半導体の供給が必須となり、これに応える微細加工技術の進展と革新が望まれていた。1980年代前半は軟X線等倍露光法が有望視されたが、この方式は解像性に優れるものの、大面積マスクの作成が困難であった。また、従来の紫外線露光法(光源波長248 nm)は屈折光学系を用いた縮小露光が可能だが、さらなる微細化の点では、露光光源の波長や光学系を構成する光学材料に限界があり(当時の限界はパタン線幅100nm)、次世代半導体(100 nm以下)の要求を満たすものではないと危惧された。こうした状況から、次世代露光の要求条件(縮小露光、バルクのマスク、数世代に亘って適用可能な構成の3条件)を満たす露光法の模索が始まった。
           日本では、木下が極端紫外線(EUV)を光源とする反射型縮小リソグラフィを発案し、1986年には縮小露光実験により、縮小率1/5の4ミクロンのパタン形成に成功していた。
           一方米国では、0.5μmから0.2μmでの半導体の量産技術では日本を上回れないとして、ほぼ同時期に0.1μmを目指した研究が進められた。LLNLのCeglio等は1988年に光源波長を4.5nmとする反射縮小光学系案を提案している。像面湾曲を避けるためにマスクを凹球面とした。また、AT&T は1990年に光源波長を36nmとする1/20の縮小露光を検討しており、反射面にはイリジウム(Ir)を形成したシステムを提案していた。

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