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ECC付きのメモリで、ちゃんとステータスが取れるサーバだったら分かるのだろうけど。どなたか情報持ってませんかね。
ググれば古いも(2009年)のなら簡単に見つかるんだけど「グーグルの研究が示すメモリエラーの真実--明らかになった高い発生率」https://japan.cnet.com/article/20401367/ [cnet.com]最近の状況が知りたいね。
エラーの理由が宇宙線由来のソフトエラーなら、搭載するモジュールの数が変わらなければ、エラー発生率もそれほど変わってないはず。というのも単位面積あたりに降り注ぐ宇宙線が変わらないので、それを受けるチップの面積が変わらなければ発生確率も変わらない。
もうちょっと補足すると、DRAM自体は微細化でトランジスタが小さくなってるんだけど、保持する容量・電荷はプロセス改良であまり減ってないので、ソフトエラー耐量もそれほど変わってない。
メモリセル(1コンデンサ)に宇宙線が直撃しなくても最寄りのセルに直撃相当の影響が出るならそうだろうけど……直撃とそうでない場合にデータを化けさすのに必要な宇宙線のエネルギー量は同一なのだろうか？………いや、DRAM内におけるトランジスタとコンデンサの面積比も変化してないならほぼ同じになるのか？でもそうするとメモリセルは微細化して単位体積あたりの電荷量が上昇している事になるような？
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未知のハックに一心不乱に取り組んだ結果、私は自然の法則を変えてしまった -- あるハッカー
実際にどのくらいエラーが発生しているんだろう? (スコア:0)
ECC付きのメモリで、ちゃんとステータスが取れるサーバだったら分かるのだろうけど。
どなたか情報持ってませんかね。
Re: (スコア:2, 参考になる)
ググれば古いも(2009年)のなら簡単に見つかるんだけど
「グーグルの研究が示すメモリエラーの真実--明らかになった高い発生率」
https://japan.cnet.com/article/20401367/ [cnet.com]
最近の状況が知りたいね。
Re:実際にどのくらいエラーが発生しているんだろう? (スコア:1)
エラーの理由が宇宙線由来のソフトエラーなら、搭載するモジュールの数が変わらなければ、エラー発生率もそれほど変わってないはず。
というのも単位面積あたりに降り注ぐ宇宙線が変わらないので、それを受けるチップの面積が変わらなければ発生確率も変わらない。
もうちょっと補足すると、DRAM自体は微細化でトランジスタが小さくなってるんだけど、保持する容量・電荷はプロセス改良であまり減ってないので、ソフトエラー耐量もそれほど変わってない。
Re: (スコア:0)
メモリセル(1コンデンサ)に宇宙線が直撃しなくても最寄りのセルに直撃相当の影響が出るならそうだろうけど……
直撃とそうでない場合にデータを化けさすのに必要な宇宙線のエネルギー量は同一なのだろうか？
………いや、DRAM内におけるトランジスタとコンデンサの面積比も変化してないならほぼ同じになるのか？
でもそうするとメモリセルは微細化して単位体積あたりの電荷量が上昇している事になるような？