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>シリコンナノ結晶表面表面で何かが起きて反応効率が変わるといえば触媒ですけど自動的に触媒毒とか汚染とかおきて反応進まなくなるのをどうするかが応用の障害になるのは自明なのですけど、この件でも同じようなことはまあ、起こるだろうし、それが実用化の鍵となることでしょうね
それはまた別な話では?今回のは別に触媒として働いてるわけではなく、自身が反応してるんだし。被毒に関しても、触媒と水素で被毒が問題になるのは表面でHとの結合ができて活性表面がなくなるからだけど、今回のはそもそもH(とかD)との結合を作ること自体が作用の一環なわけで、ちょっと違うような。今回の話はもっと単純な「結合力の差で分離できます」ってものでは。※その結合力の差に量子効果が効いている点はポイントだけど。
まあ、厳密には触媒ではないのかもしれないけど、触媒と言いたくなる気持ちは分かる。水素ガスに含まれる不純物に選択的に結合しちゃってすぐに使えなくなる、なんていう触媒でよく聞く話と同じことが起こっても不思議はないからね……。
# シリコン触媒とCOやSOxとの反応性は知らんのでAC
追記すると、今でも半導体プラントでSiにHを吸着させるのは問題なく行えているのでしょうが、だからといってこのプロセスでも安心とは行きません。たとえばトリチウム処理の場合、汚染水を半導体プラントで要求される純度まで前処理するのはコスト的に現実的ではありませんので、不純物がはるかに多い環境でもシリコンが不可逆劣化しないことを検証する必要があります。
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UNIXはただ死んだだけでなく、本当にひどい臭いを放ち始めている -- あるソフトウェアエンジニア
要は触媒だから・・・あとは分かるな (スコア:0)
>シリコンナノ結晶表面
表面で何かが起きて反応効率が変わるといえば触媒ですけど
自動的に触媒毒とか汚染とかおきて反応進まなくなるのをどうするかが
応用の障害になるのは自明なのですけど、この件でも同じようなことは
まあ、起こるだろうし、それが実用化の鍵となることでしょう
ね
Re: (スコア:1)
それはまた別な話では?
今回のは別に触媒として働いてるわけではなく、自身が反応してるんだし。
被毒に関しても、触媒と水素で被毒が問題になるのは表面でHとの結合ができて活性表面がなくなるからだけど、今回のはそもそもH(とかD)との結合を作ること自体が作用の一環なわけで、ちょっと違うような。
今回の話はもっと単純な「結合力の差で分離できます」ってものでは。
※その結合力の差に量子効果が効いている点はポイントだけど。
Re: (スコア:0)
まあ、厳密には触媒ではないのかもしれないけど、触媒と言いたくなる気持ちは分かる。水素ガスに含まれる不純物に選択的に結合しちゃってすぐに使えなくなる、なんていう触媒でよく聞く話と同じことが起こっても不思議はないからね……。
# シリコン触媒とCOやSOxとの反応性は知らんのでAC
Re:要は触媒だから・・・あとは分かるな (スコア:0)
追記すると、今でも半導体プラントでSiにHを吸着させるのは問題なく行えているのでしょうが、だからといってこのプロセスでも安心とは行きません。たとえばトリチウム処理の場合、汚染水を半導体プラントで要求される純度まで前処理するのはコスト的に現実的ではありませんので、不純物がはるかに多い環境でもシリコンが不可逆劣化しないことを検証する必要があります。