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電界効果型トランジスタのアイデア自体はかなり古く1930年代だったと思う。点接型や接合型より電子か正孔のみを考えればよいので原理はかなり単純ですし。
実際に作ったのは、日立製作所の大野稔氏ではなかったでしょうか。その頃バイポーラに注力していた会社でも日本でも全く評価されず、アメリカでは高く評価されて当時はMOSをミノル・オオノ・セミコンダクタの略だと勘違いする研究者も居たとか。アメリカ人じゃないから歴史から消えちゃったんでしょうかね。島氏もインテルの社史から消えてるし。
その名前 電子立国・日本の自叙伝 で見た記憶がある。いい番組でした
その大野氏の書いた日立評論には「1962年,RCAのWeimer氏はCdSの蒸着薄膜を利用し,画期的なFETを発表し」とあるからFETの発明者ではないな。「1963年MOSトランジスタがRCAのHofstein氏,Heiman氏,筆者の一人(大野氏),FairChild社のWanlass氏によりそれぞれ独立に発表され」とあるからMOSのパイオニアであるのは間違いない
MOSトランジスタの開発https://www.hitachihyoron.com/jp/pdf/1965/08/1965_08_11.pdf [hitachihyoron.com]
シリコン基板の(100)結晶面特許などの実績もある。強力すぎて各社が必死に異議申し立てして特許の成立が遅れたという。
https://www.shmj.or.jp/dev_story/pdf/SEAJ_PDF/semi_13.pdf [shmj.or.jp]https://www.semi.org/sites/semi.org/files/2020-09/31_Kaihatsuhiwa_2008... [semi.org]
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物事のやり方は一つではない -- Perlな人
電界効果型トランジスタの発明 (スコア:0)
電界効果型トランジスタのアイデア自体はかなり古く1930年代だったと思う。点接型や接合型より電子か正孔のみを考えればよいので原理はかなり単純ですし。
Re:電界効果型トランジスタの発明 (スコア:1)
実際に作ったのは、日立製作所の大野稔氏ではなかったでしょうか。
その頃バイポーラに注力していた会社でも日本でも全く評価されず、アメリカでは高く評価されて当時はMOSをミノル・オオノ・セミコンダクタの略だと勘違いする研究者も居たとか。
アメリカ人じゃないから歴史から消えちゃったんでしょうかね。島氏もインテルの社史から消えてるし。
Re: (スコア:0)
その名前 電子立国・日本の自叙伝 で見た記憶がある。いい番組でした
Re: (スコア:0)
その大野氏の書いた日立評論には「1962年,RCAのWeimer氏はCdSの蒸着薄膜を利用し,画期的なFETを発表し」とあるからFETの発明者ではないな。「1963年MOSトランジスタがRCAのHofstein氏,Heiman氏,筆者の一人(大野氏),FairChild社のWanlass氏によりそれぞれ独立に発表され」とあるからMOSのパイオニアであるのは間違いない
MOSトランジスタの開発
https://www.hitachihyoron.com/jp/pdf/1965/08/1965_08_11.pdf [hitachihyoron.com]
Re: (スコア:0)
シリコン基板の(100)結晶面特許などの実績もある。強力すぎて各社が必死に異議申し立てして特許の成立が遅れたという。
https://www.shmj.or.jp/dev_story/pdf/SEAJ_PDF/semi_13.pdf [shmj.or.jp]
https://www.semi.org/sites/semi.org/files/2020-09/31_Kaihatsuhiwa_2008... [semi.org]