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>>1nmプロセスの何が1nmか不明だけど、とにかく水素原子の10個分。
数十年昔ですらEEPROMのゲート酸化膜厚が酸素原子何個分とか話をしていたが、今のロジックのゲート酸化膜厚はどの程度なのかな？
面積が問題なのだから、別に厚くなってもいいじゃない？少しでも電気抵抗を下げるために配線の高さがどんどん高くなったこともあるし。
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本当に1nmなら水素原子の10個分。 (スコア:2)
1nmプロセスの何が1nmか不明だけど、とにかく水素原子の10個分。
そのまま事実みたいに受け止めて「たったの10個分！」「そんなに小さいんですか！！」みたいな会話が聞こえそう。
ずっと前にＴＳＭＣ自らがNnmプロセスのNに対応する実態が存在しない と説明しているし、配線の太さも、配線の中心間距離も関係なくなっている。そもそも最小配線の太さだって、配線の材質、位置によって違う。昔は銅単一だったけど、今は中心部はニッケルで保護のためにタングステンかなにか
Re:本当に1nmなら水素原子の10個分。 (スコア:0)
>>1nmプロセスの何が1nmか不明だけど、とにかく水素原子の10個分。
数十年昔ですらEEPROMのゲート酸化膜厚が酸素原子何個分とか話をしていたが、今のロジックのゲート酸化膜厚はどの程度なのかな？
Re: (スコア:0)
面積が問題なのだから、別に厚くなってもいいじゃない？少しでも電気抵抗を下げるために配線の高さがどんどん高くなったこともあるし。