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ガラスを使った立体回路半導体」記事へのコメント

  • どうなのでしょうね?
    ガラスの中の3次元空間の中に、P型/N型も作れたとありますけど、
    やはり酸化膜も作れないとMOS-FETができないでしょうし、0.18ミクロンみたいな
    配線密度はこの方法でできるのでしょうか? (専門の方のコメント希望)

    密度を上げるのに時間はかか
    • by redbrick (4865) on 2002年01月03日 10時10分 (#51428) 日記
      P/N半導体ができるなら、バイポーラにしちゃえば(苦笑)?
      #MOSは構造やCAD対応が簡単だけど酸化膜とゲートが必須だし、これは技術的に
      #深度調整できる加工技術のようだから、バイポーラこそ向いてませんかね?
      #個人的には、MOSはそろそろ技術的限界に来てる気がします。

      この場合の加工密度は光の集束度とその干渉される部分のサイズによると思うので、
      光学系技術が大きく影響するでしょうね、きっと。

      問題は結晶生成や加工にかかる速度ではないかなぁ・・・。
      #たぶん、フェムト秒レーザーと共焦点顕微鏡を組み合わせたシステムと
      #想像しますが、そうなるとスキャン速度はとんでもなく遅いでしょう・・・。
      #今の半導体製造現場は、やっぱり写真現像式の方が早く安価で大量生産に向くはず
      #ですから、スキャン方式は価格競争力が低そうに思います。

      半導体の製造は、工場レベルでいってしまえば、製造速度もけっこう重要なので、
      現状の半導体と同等レベルなものは、製造技術として勝負にならない(勝てない)と思います。

      あと、元記事ではガラスで光導波路までできたそうですが、シリコンと不純物だけで
      光-電気の変換回路ってできましたっけ?
      #できるんなら、けっこう有用かも。
      #なにせ素子近傍の配線の折れや強度の劣化とかを気にせずに、
      #ガラス素子ブロック中を配線できるようですから・・・。
      #光ファイバ相当の光導波路を素子と同じブロック中でできるってのは、
      #けっこう便利かも、と思います。
      --
      ---- redbrick
      親コメント

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