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100nmノードのフラッシュメモリのセル当たり電荷量が1fC．2GBで全電荷は10μCのオーダー．
電子の質量が9.eE-31kg，素電荷が1.6E-19Cだから，電子の質量は1E-13g程度と，意外に重いことがわかる．
一方，1E-18gの質量に対応するエネルギー(mC^2)は9E-5Jくらい．1Vの電圧でどの程度の電荷が移動したかというと，100μCのオーダーとなる．
たぶん，バークレーの先生は後者の計算を行ったのかな？
端末やフラッシュメモリ全体が負に帯電するわけではないので、電子の質量は関係ない（注入した電子の分セル周囲に正孔が増える）メモリセルが蓄える電荷×セルの電圧/2＝電場のエネルギーが（書き込みが充電なら）増える#情報量も考えたけどオーダーが全然違った
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私はプログラマです。1040 formに私の職業としてそう書いています -- Ken Thompson
きちんと計算してみる (スコア:4, 興味深い)
100nmノードのフラッシュメモリのセル当たり電荷量が1fC．
2GBで全電荷は10μCのオーダー．
電子の質量が9.eE-31kg，素電荷が1.6E-19Cだから，
電子の質量は1E-13g程度と，意外に重いことがわかる．
一方，1E-18gの質量に対応するエネルギー(mC^2)は9E-5Jくらい．
1Vの電圧でどの程度の電荷が移動したかというと，100μCの
オーダーとなる．
たぶん，バークレーの先生は後者の計算を行ったのかな？
Re:きちんと計算してみる (スコア:3)
端末やフラッシュメモリ全体が負に帯電するわけではないので、電子の質量は関係ない（注入した電子の分セル周囲に正孔が増える）
メモリセルが蓄える電荷×セルの電圧/2＝電場のエネルギーが（書き込みが充電なら）増える
#情報量も考えたけどオーダーが全然違った