USBシグナルラインに高電圧をかける場合、-110VとN-ch FET、あるいは+110VとP-ch FETの組み合わせになるのですが、-110VとN-chの方がこれを作製した人にとっては都合が良かったのでしょう。その理由を"can have larger current for the same dimensions"と書いてますが、これはちょっと疑問。どちらかと言うとコストだったのではと思いますね。（同一規格ならP-chの方が高いのが普通）
ま、しかし、"n-channel field resistor"なんてものは無いってな突っ込みコメントが入って入ってますね。書きたかったのはn-channel field (effect) transistorなんでしょうけどね。
「電気に詳しい人なら、なぜ負電圧を使うのかもう想像できるだろう」 (スコア:0)
負電圧の方が整流が容易で、それを使うNチャネル電解トランジスタは、
Pチャネルと比べて同じサイズでより大きい電流を作ることができる。
負電圧の方が整流が容易な理由が分からん。なんで？
Re: (スコア:0)
誤訳じゃないか。元は to commutate と書いていて、これは電流を逆向きに切り替えることを言う。
モーターとかについているその仕組みを実現する部品を整流子(commutator)ということがあるので、動詞形だから整流とか思ったんでしょう
Re:「電気に詳しい人なら、なぜ負電圧を使うのかもう想像できるだろう」 (スコア:2)
> 誤訳じゃないか。元は to commutate と書いていて、これは電流を逆向きに切り替えることを言う。
多分そうでしょうね。FETをスイッチとして-110VをUSBシグナルラインに流す事を言っているんだと思います。
USBシグナルラインに高電圧をかける場合、-110VとN-ch FET、あるいは+110VとP-ch FETの組み合わせになるのですが、-110VとN-chの方がこれを作製した人にとっては都合が良かったのでしょう。その理由を"can have larger current for the same dimensions"と書いてますが、これはちょっと疑問。どちらかと言うとコストだったのではと思いますね。（同一規格ならP-chの方が高いのが普通）
ま、しかし、"n-channel field resistor"なんてものは無いってな突っ込みコメントが入って入ってますね。書きたかったのはn-channel field (effect) transistorなんでしょうけどね。
Re:「電気に詳しい人なら、なぜ負電圧を使うのかもう想像できるだろう」 (スコア:2)
NMOSとPMOSは主にキャリア移動度の違いで、NMOSの方が同じ面積では低抵抗になります。
同じ抵抗値でPMOSの方が高いとしたら、それが理由かな。
原文ではそういうことを言っているのではないかと思います。
Re: (スコア:0)
マザボ上の半導体などが負電圧で動作しているのなら（fot the same dimensions)
正電圧ではなく負電圧をかけるほうが許容範囲を簡単に超えるから(easy)という見
解でどう？ 集積回路の中身はどういう動作するのか知らないけど、例えば3本足の
ディスクリートなトランジスタて、基本はダイオード（電流を通す方向が一定）なん
じゃなかったかな。 正電圧の電流だとダイオードが遮断するけど、負電圧ならダイ
オードの遮断は発生しないという見解ね。