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IBMら、5nmプロセスルールの微小トランジスタを開発」記事へのコメント

  • by Anonymous Coward on 2017年06月09日 2時28分 (#3224611)

    キャリアの量子力学的な作用が大きくなって隣のトランジスタに電子が飛び込むとか無いんですかね?

    • by Anonymous Coward on 2017年06月09日 8時27分 (#3224646)

      もう何年も前にLSI設計者から聞いた話ですが…
      電子が、いわゆる「井戸型ポテンシャル」的に配線をしみ出てるから、それが干渉しないだけの絶縁幅が必要(単純な電界で考える絶縁幅では足りない)とか、
      配線を急角度で曲げると、電子が曲がりきれずに飛び出すから、緩やかに曲げる必要があるとか
      言ってた気がする。

      親コメント
    • by Anonymous Coward

      それより、狙った濃度でイオン注入できるんだろうか?

      面積が小さすぎてイオンが当たらず、P型やN型に成れなかった部分が出てきそうだよね。

      • by Anonymous Coward

        コンタクトホールを通して下にイオン注入できるんだから大丈夫だろ

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