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キャリアの量子力学的な作用が大きくなって隣のトランジスタに電子が飛び込むとか無いんですかね?
もう何年も前にLSI設計者から聞いた話ですが…電子が、いわゆる「井戸型ポテンシャル」的に配線をしみ出てるから、それが干渉しないだけの絶縁幅が必要(単純な電界で考える絶縁幅では足りない)とか、配線を急角度で曲げると、電子が曲がりきれずに飛び出すから、緩やかに曲げる必要があるとか言ってた気がする。
それより、狙った濃度でイオン注入できるんだろうか?
面積が小さすぎてイオンが当たらず、P型やN型に成れなかった部分が出てきそうだよね。
コンタクトホールを通して下にイオン注入できるんだから大丈夫だろ
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日本発のオープンソースソフトウェアは42件 -- ある官僚
ここまで小さいと (スコア:0)
キャリアの量子力学的な作用が大きくなって隣のトランジスタに電子が飛び込むとか無いんですかね?
Re:ここまで小さいと (スコア:1)
もう何年も前にLSI設計者から聞いた話ですが…
電子が、いわゆる「井戸型ポテンシャル」的に配線をしみ出てるから、それが干渉しないだけの絶縁幅が必要(単純な電界で考える絶縁幅では足りない)とか、
配線を急角度で曲げると、電子が曲がりきれずに飛び出すから、緩やかに曲げる必要があるとか
言ってた気がする。
Re: (スコア:0)
それより、狙った濃度でイオン注入できるんだろうか?
面積が小さすぎてイオンが当たらず、P型やN型に成れなかった部分が出てきそうだよね。
Re: (スコア:0)
コンタクトホールを通して下にイオン注入できるんだから大丈夫だろ