Here, we demonstrate a new n-type Fe-doped narrow-gap III–V FMS, (In1− x ,Fe x )Sb. Its Curie temperature TC is unexpectedly high, reaching ~335 K at a modest Fe concentration (x) of 16%.
We show high-temperature ferromagnetism in heavily Fe-doped ferromagnetic semiconductor (Ga1-x,Fex)Sb (x = 23% and 25%) thin films grown by low-temperature molecular beam epitaxy.
低電力というからには当然常温で (スコア:0)
スピントロニクスって良く知らないのですが、
常温で動かないと幾ら素子が低電力でも意味が無いと思うのですが
これは常温でうごくのですか
熱雑音とか地磁気に負けたりしないのですか
だとしたら画期的ですが
既存の外界デバイス(液晶とかネットワークとか)に繋ぐには変換素子が必要と思いますが
その辺りもなんとかしないといけないと思いますが
Re: (スコア:3)
# 5 年以上前の知識になりますが
確かに常温の強磁性半導体は、世界中で多大な努力が払われたにもかかわらず実現していないはず。しかし、常温で巨大トンネル磁気抵抗を示す物質は合金なら (CoFeB など) いくつかあったはずで、HDD のヘッドなどに実用化もされています。
プレス
Re: 低電力というからには当然常温で (スコア:0)
確かに常温の強磁性半導体は、世界中で多大な努力が払われたにもかかわらず実現していないはず。
半導体のパラダイムシフトを起こす「スピントロニクス」に賭ける ― ファム・ナム・ハイ [titech.ac.jp]
「かつては極低温でしか動作が確認できなかった強磁性半導体も、現在は室温で動かせるようになりました。その結果、トランジスタやセンサーなどデバイスに実装できる段階に入っています。実際に熱を発生するコンピュータで使えるようにするには、室温よりも100度高い熱に耐えられるものを作らなければなりません。しかし2010年の段階では、まさかここまでたどり着けるとは誰も思っていなかった技術です。今後、実用化を目指して、これまでにない機能を持つ小型で省電力なコンピュータが生まれると期待します。」
Re: 低電力というからには当然常温で (スコア:2)
ファム·ナム·ハイ研究室のページ [titech.ac.jp]には
とありますねえ。「室温強磁性を実現した」とは書いてないし、具体的にキュリー点が何度なのかも書いてない……。
正直よくわかりませんが、「室温で動かせるようになりました」は言いすぎのような? 気がします。
Re: (スコア:0)
> 正直よくわかりませんが、「室温で動かせるようになりました」は言いすぎのような? 気がします。
常温で動きますよ
Re: (スコア:0)
ファム·ナム·ハイ研究室のページ [titech.ac.jp]には
とありますねえ。「室温強磁性を実現した」とは書いてないし、具体的にキュリー点が何度なのかも書いてない……。
正直よくわかりませんが、「室温で動かせるようになりました」は言いすぎのような? 気がします。
研究成果 [titech.ac.jp]
53. N. T. Tu et al., “High-temperature ferromagnetism in new n-type Fe-doped ferromagnetic semiconductor (In,Fe)Sb”, Appl. Phys. Express 11, 063005 (2018). [iop.org]
Here, we demonstrate a new n-type Fe-doped narrow-gap III–V FMS, (In1− x ,Fe x )Sb. Its Curie temperature TC is unexpectedly high, reaching ~335 K at a modest Fe concentration (x) of 16%.
44. N. T. Tu, P. N. Hai, L. D. Anh, M. Tanaka, “High-temperature ferromagnetism in heavily Fe-doped ferromagnetic semiconductor (Ga,Fe)Sb”, Appl. Phys. Lett. 108, 192401 (2016). [harvard.edu]
We show high-temperature ferromagnetism in heavily Fe-doped ferromagnetic semiconductor (Ga1-x,Fex)Sb (x = 23% and 25%) thin films grown by low-temperature molecular beam epitaxy.
Re: 低電力というからには当然常温で (スコア:2)