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メモリとシーケンシャル比較されてもなぁどなたかDDR2-667のランダム覚えていらっしゃいますか?
# まぁRAMディスク並って思えばかなりイカしてるか
ROM/RAMのランダムアクセス遅延とシーケンシャルアクセス遅延は同じ値で、一般的にはその両方が満足すべき値をCASレイテンシと呼んでいます……
牧歌的には、あるROMかRAMの番地 0b1100 のデータが 0b1000 だとすると、電源ピンに3.3Vを供給しておいて、アドレスピンの A3, A2, A1, A0 に 1.5V, 1.5V, 0.3V, 0.3V を与えて CLK を 0.3V→1.5V と遷移させると、150nsほどかけて徐々にデータピンの D3, D2, D1, D0 が 2.6V, 0.1V, 0.1V, 0.1V になる、とかいうのがROMとかRAMとかいうデバイスです。もちろん、現代のRAMはこんなに単純明快ではないですけど……
それはCASレイテンシの話
シーケンシャルアクセスとランダムアクセスではバス帯域の利用効率が全く違います．
例えばバス幅が64bitsなら，シーケンシャルアクセスは一回で64bitsつまり8bytesアクセスできます．一方ランダムアクセスは1bytes単位でやっちゃうと一回で1bytesしかアクセスできませんこれだけで速度は1/8になります
その計算、シーケンシャルとランダムアクセスの遅延の差になにか関係あります?
元々スループットの話をしているところに、レイテンシの話を持ち出されても関係ない、ということですかね。
レイテンシの話をするなら、シーケンシャルだろうがPCIe接続でDRAMに及ぶはずもないし、そういう話はしてないような。そういう用途にはNVDIMMがあるので、そっちで比較すべきでしょうね。
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人生の大半の問題はスルー力で解決する -- スルー力研究専門家
う～んらんだむ (スコア:1)
メモリとシーケンシャル比較されてもなぁ
どなたかDDR2-667のランダム覚えていらっしゃいますか?
# まぁRAMディスク並って思えばかなりイカしてるか
Re: (スコア:2)
ROM/RAMのランダムアクセス遅延とシーケンシャルアクセス遅延は同じ値で、一般的にはその両方が満足すべき値をCASレイテンシと呼んでいます……
牧歌的には、あるROMかRAMの番地 0b1100 のデータが 0b1000 だとすると、電源ピンに3.3Vを供給しておいて、アドレスピンの A3, A2, A1, A0 に 1.5V, 1.5V, 0.3V, 0.3V を与えて CLK を 0.3V→1.5V と遷移させると、150nsほどかけて徐々にデータピンの D3, D2, D1, D0 が 2.6V, 0.1V, 0.1V, 0.1V になる、とかいうのがROMとかRAMとかいうデバイスです。もちろん、現代のRAMはこんなに単純明快ではないですけど……
Re: (スコア:1)
それはCASレイテンシの話
シーケンシャルアクセスとランダムアクセスではバス帯域の利用効率が全く違います．
例えばバス幅が64bitsなら，シーケンシャルアクセスは一回で64bitsつまり8bytesアクセスできます．
一方ランダムアクセスは1bytes単位でやっちゃうと一回で1bytesしかアクセスできません
これだけで速度は1/8になります
Re:う～んらんだむ (スコア:2)
その計算、シーケンシャルとランダムアクセスの遅延の差になにか関係あります?
Re:う～んらんだむ (スコア:1)
元々スループットの話をしているところに、レイテンシの話を持ち出されても関係ない、ということですかね。
Re:う～んらんだむ (スコア:1)
レイテンシの話をするなら、シーケンシャルだろうがPCIe接続でDRAMに及ぶはずもないし、そういう話はしてないような。
そういう用途にはNVDIMMがあるので、そっちで比較すべきでしょうね。