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既にトランジスタは扱える電荷量ギリギリで動いている3値にするとスレッショルドは2つに増えて、ノイズに弱くなりエラー訂正回路が余計に必要になりトータルでペイしないかもね
もっとおもくそ256段階ぐらいにして必要に応じて閾値決めるアーキテクチャとかできないかな
NANDフラッシュではすでに必要に応じてQLC/TLC/MLC/SLCの切り替えができるものがある。ていうかこれQLC/TLC/MLCと何が違うのかと思ったらNANDフラッシュに限らない技術なのか?
信号を1Bitじゃなくて多値で扱うのはフラシュメモリ以外でも考えられてるよ。フラッシュメモリの場合は、多値を判定する回路が複雑になって大きくなっても、それにぶら下がるセルの数が多いので容量あたりの面積削減効果が大きい、というだけ。
NANDフラッシュも似たようなものだが現状、エラー訂正回路入れて無理くり使っているのは意外に知られていないんだなNOR型だとそんなことは無いんだが裸デバイスのデータシート見てみればわかるよ
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日本発のオープンソースソフトウェアは42件 -- ある官僚
ケチをつけるなら (スコア:2, 興味深い)
既にトランジスタは扱える電荷量ギリギリで動いている
3値にするとスレッショルドは2つに増えて、ノイズに弱くなり
エラー訂正回路が余計に必要になりトータルでペイしない
かもね
Re:ケチをつけるなら (スコア:1)
もっとおもくそ256段階ぐらいにして必要に応じて閾値決めるアーキテクチャとかできないかな
Re: (スコア:0)
NANDフラッシュではすでに必要に応じてQLC/TLC/MLC/SLCの切り替えができるものがある。
ていうかこれQLC/TLC/MLCと何が違うのかと思ったらNANDフラッシュに限らない技術なのか?
Re: (スコア:0)
信号を1Bitじゃなくて多値で扱うのはフラシュメモリ以外でも考えられてるよ。
フラッシュメモリの場合は、多値を判定する回路が複雑になって大きくなっても、それにぶら下がるセルの数が多いので容量あたりの面積削減効果が大きい、というだけ。
Re: (スコア:0)
NANDフラッシュも似たようなものだが
現状、エラー訂正回路入れて無理くり使っているのは
意外に知られていないんだな
NOR型だとそんなことは無いんだが
裸デバイスのデータシート見てみればわかるよ