by
Anonymous Coward
on 2019年07月25日 18時10分
(#3658171)
アブストをちら見しただけだが、普通に言うトランジスタのスレッショルドは、一つのまま(それがこの論文の一番の売り) トランジスタがOFF状態であってもトンネル効果で定電流が流れてしまっているが、これを絞った状態をもう一つの値にするらしい。
----- まったくの想像だが、トランジスタとしては ON と OFF と 完全OFF、信号としては H (高い電圧)と L (低い電圧)と Z (一種のハイインピーダンス)があるのかも。
ケチをつけるなら (スコア:2, 興味深い)
既にトランジスタは扱える電荷量ギリギリで動いている
3値にするとスレッショルドは2つに増えて、ノイズに弱くなり
エラー訂正回路が余計に必要になりトータルでペイしない
かもね
Re:ケチをつけるなら (スコア:4, 興味深い)
アブストをちら見しただけだが、普通に言うトランジスタのスレッショルドは、一つのまま(それがこの論文の一番の売り)
トランジスタがOFF状態であってもトンネル効果で定電流が流れてしまっているが、これを絞った状態をもう一つの値にするらしい。
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まったくの想像だが、トランジスタとしては ON と OFF と 完全OFF、信号としては H (高い電圧)と L (低い電圧)と Z (一種のハイインピーダンス)があるのかも。
Re: (スコア:0)
へー
しかしリークを前提って製造工程の誤差や経年劣化、温度とかでなんか不幸なことにならんのだろうか
それこそ閾値の調整次第なんだろうけど
Re: (スコア:0)
EEPROMとかフラッシュメモリ(FlashEEPROM)は絶縁膜をトンネル効果でリークさせて書き換えだけども。
#リーク違い
まぁ現時点で使ってる奴にもリークがあるんなら現状で既にリーク前提かと。