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共同開発は随分前に解消してて、今は製造設備も完全に分離しているわけで、非常にニッチな製品であることを踏まえると、一方が撤退すれば相対的に市場が増え、かつ価格競争も避けられるのでむしろIntel的には(Optaneを続けるなら）ありがたいのでは。Micronが将来性なしと判断したものをIntelが本気で維持するのかはわかりませんが。
SSD Cachingに学ばず小容量のままズルズル来てますからねぇ
いくら造り手が「コンセプトが違うのだよ」といったところでストレージとして大容量化し価格もこなれてこなければ普及の見込みはまったくなかったことのは製品出る前からわかりきっていたはずなんですがねぇ
不揮発RAMとしてもOptane MemoryもMRAM等もまるで伸びていませんし更にはAMD Memory Guardなどメモリ暗号化チップ搭載の流れが出てきていますし
このまま消えていくんじゃないですかねぇ
MRAMはプロセッサ内蔵のキャッシュのSRAMからの置き換えが本命ですから、ストレージとメインメモリの間に割り込もうとしているOptaneとは用途がまるっきり違います。他社の不揮発メモリーも今はマイコン内蔵のフラッシュの置き換えが本命ですから、マイコンの製造プロセスの微細化が進みフラッシュが事実上使えなくなるレベルに達する見込みである以上は開発と採用は止まりません。
なお、MRAMはSTT-MRAMにすれば記録密度も書き込み速度も解決と思っていたら、STT-MRAMでは書き込みの際に記録素子の絶縁層を破壊するため有限寿命である等問題が多数見つかりキャッシュには使えないと判明したため、絶縁層を破壊しないSOT-MRAMというのに開発が切り替わってやっと実験室で結果が出始めた段階です。
> マイコンの製造プロセスの微細化が進みフラッシュが事実上使えなくなるレベルに達する見込みである以上
HDDもとっくの昔に記録密度の向上は限界を迎えるはずだったのでは?
フラッシュは記憶素子に貯める電荷の量が10nm代では数個レベルになった為に微細化は止まっていて、3DNANDでは20nm代に戻しているくらいなので、理論上は可能だけど周辺技術が追いついていないだけのHDDの微細化とは別次元の話です。
HDDでも理論上限界って何度も主張されてた気がするんだけど
HDDの記録密度と何の関係が有るのかわからないが、今のCMOSで作っているうちはどうやっても無理でしょう。数日でデータ消えても良いなら出来るだろうけど。
NANDフラッシュってちっちゃなバッテリー（セル）をいっぱい並べてるだけなのね。電荷が少ないってのは、バッテリーの容量がちっちゃいって事と同義なんだけど、これバッテリーだからさ、自然放電しちゃうんだわ。容量少ないと自然放電ですぐにデータ壊れちゃうの。フラッシュはデータ永久じゃ無いからね？
すみません、記録素子の、というのが抜けてました。HDDの場合実現は無理でしょうが単原子記録素子も理屈の上では可能ですのでまだまだ余裕はあります。ラッシュの場合は10nm代の最後の方では記録素子内の電荷が数個まで減っており、記録素子内電子の数という理屈の上でも回避不能な限界が見えていましたし、信頼性と記録保持期間を考えると組み込み向けにはとても使えない所まで来ていました。
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身近な人の偉大さは半減する -- あるアレゲ人
intelに痛手かなあ？ (スコア:0)
共同開発は随分前に解消してて、今は製造設備も完全に分離しているわけで、
非常にニッチな製品であることを踏まえると、一方が撤退すれば相対的に市場が増え、かつ価格競争も避けられるので
むしろIntel的には(Optaneを続けるなら）ありがたいのでは。
Micronが将来性なしと判断したものをIntelが本気で維持するのかはわかりませんが。
Re: (スコア:0)
SSD Cachingに学ばず小容量のままズルズル来てますからねぇ
いくら造り手が「コンセプトが違うのだよ」といったところで
ストレージとして大容量化し価格もこなれてこなければ
普及の見込みはまったくなかったことのは
製品出る前からわかりきっていたはずなんですがねぇ
不揮発RAMとしても
Optane MemoryもMRAM等もまるで伸びていませんし
更にはAMD Memory Guardなど
メモリ暗号化チップ搭載の流れが出てきていますし
このまま消えていくんじゃないですかねぇ
Re: (スコア:5, 参考になる)
MRAMはプロセッサ内蔵のキャッシュのSRAMからの置き換えが本命ですから、ストレージとメインメモリの間に割り込もうとしているOptaneとは用途がまるっきり違います。
他社の不揮発メモリーも今はマイコン内蔵のフラッシュの置き換えが本命ですから、マイコンの製造プロセスの微細化が進みフラッシュが事実上使えなくなるレベルに達する見込みである以上は開発と採用は止まりません。
なお、MRAMはSTT-MRAMにすれば記録密度も書き込み速度も解決と思っていたら、STT-MRAMでは書き込みの際に記録素子の絶縁層を破壊するため有限寿命である等問題が多数見つかりキャッシュには使えないと判明したため、絶縁層を破壊しないSOT-MRAMというのに開発が切り替わってやっと実験室で結果が出始めた段階です。
Re: (スコア:0)
> マイコンの製造プロセスの微細化が進みフラッシュが事実上使えなくなるレベルに達する見込みである以上
HDDもとっくの昔に記録密度の向上は限界を迎えるはずだったのでは?
Re: (スコア:0)
フラッシュは記憶素子に貯める電荷の量が10nm代では数個レベルになった為に微細化は止まっていて、3DNANDでは20nm代に戻しているくらいなので、理論上は可能だけど周辺技術が追いついていないだけのHDDの微細化とは別次元の話です。
Re:intelに痛手かなあ？ (スコア:0)
HDDでも理論上限界って何度も主張されてた気がするんだけど
Re: (スコア:0)
HDDの記録密度と何の関係が有るのかわからないが、
今のCMOSで作っているうちはどうやっても無理でしょう。
数日でデータ消えても良いなら出来るだろうけど。
NANDフラッシュってちっちゃなバッテリー（セル）をいっぱい並べてるだけなのね。
電荷が少ないってのは、バッテリーの容量がちっちゃいって事と同義なんだけど、
これバッテリーだからさ、自然放電しちゃうんだわ。
容量少ないと自然放電ですぐにデータ壊れちゃうの。
フラッシュはデータ永久じゃ無いからね？
Re: (スコア:0)
すみません、記録素子の、というのが抜けてました。
HDDの場合実現は無理でしょうが単原子記録素子も理屈の上では可能ですのでまだまだ余裕はあります。
ラッシュの場合は10nm代の最後の方では記録素子内の電荷が数個まで減っており、記録素子内電子の数という理屈の上でも回避不能な限界が見えていましたし、信頼性と記録保持期間を考えると組み込み向けにはとても使えない所まで来ていました。