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EEPROMフラッシュメモリの絶縁ゲートって高電圧でトンネル効果だかを増大させる事で絶縁ゲート内の電荷量を変更して電荷量の形で情報を保持するメモリだけど、高温でもトンネル効果が増大しちゃって電荷量が曖昧になっちゃうんじゃなかったっけ。
デバイスの寿命を直接削る訳でこそ無いけれど、記録済みの情報が揮発するまでの時間が温度によって増減するメモリ、だったはず。
>記録済みの情報が揮発するまでの時間が温度によって増減するメモリ 今までデバイスの寿命が減るという理解でいました。勉強になります。 ultrafit にかわる製品があれば良いのですが「でっぱりが少ないのがほしい」みたいな需要はあまりないのか、見かけないですね。
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EEPROM・フラッシュメモリの高温 (スコア:0)
EEPROMフラッシュメモリの絶縁ゲートって高電圧でトンネル効果だかを増大させる事で
絶縁ゲート内の電荷量を変更して電荷量の形で情報を保持するメモリだけど、
高温でもトンネル効果が増大しちゃって電荷量が曖昧になっちゃうんじゃなかったっけ。
デバイスの寿命を直接削る訳でこそ無いけれど、
記録済みの情報が揮発するまでの時間が温度によって増減するメモリ、だったはず。
Re:EEPROM・フラッシュメモリの高温 (スコア:2)
>記録済みの情報が揮発するまでの時間が温度によって増減するメモリ
今までデバイスの寿命が減るという理解でいました。勉強になります。
ultrafit にかわる製品があれば良いのですが「でっぱりが少ないのがほしい」みたいな需要はあまりないのか、見かけないですね。