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電界効果型トランジスタのアイデア自体はかなり古く1930年代だったと思う。点接型や接合型より電子か正孔のみを考えればよいので原理はかなり単純ですし。
実際に作ったのは、日立製作所の大野稔氏ではなかったでしょうか。その頃バイポーラに注力していた会社でも日本でも全く評価されず、アメリカでは高く評価されて当時はMOSをミノル・オオノ・セミコンダクタの略だと勘違いする研究者も居たとか。アメリカ人じゃないから歴史から消えちゃったんでしょうかね。島氏もインテルの社史から消えてるし。
その名前 電子立国・日本の自叙伝 で見た記憶がある。いい番組でした
その大野氏の書いた日立評論には「1962年,RCAのWeimer氏はCdSの蒸着薄膜を利用し,画期的なFETを発表し」とあるからFETの発明者ではないな。「1963年MOSトランジスタがRCAのHofstein氏,Heiman氏,筆者の一人(大野氏),FairChild社のWanlass氏によりそれぞれ独立に発表され」とあるからMOSのパイオニアであるのは間違いない
MOSトランジスタの開発https://www.hitachihyoron.com/jp/pdf/1965/08/1965_08_11.pdf [hitachihyoron.com]
シリコン基板の(100)結晶面特許などの実績もある。強力すぎて各社が必死に異議申し立てして特許の成立が遅れたという。
https://www.shmj.or.jp/dev_story/pdf/SEAJ_PDF/semi_13.pdf [shmj.or.jp]https://www.semi.org/sites/semi.org/files/2020-09/31_Kaihatsuhiwa_2008... [semi.org]
たしか、原理は単純だけど製造が難しかったので原理を発表した人と、実際に動く素子を作った人は別人で、発表から実証までに数十年かかっていたとおもいます。
たしか点接触型のトランジスタの発明も電界効果型を念頭においてなかなか安定した半導体表面ができなかったので。表面状態を調べようとして針当てて電位を計ったのがきっかけじゃなかったっけ。針の当て方によって増幅作用が見つかったのはまあ偶然。
LSI関連の教科書なんかではそのあたりの話とベル研の3人組の次は、合金型、メサ型とかプレーナ・プロセスに飛んじゃうんだよねそのくせ回路設計に関しては最初からMOSトランジスタが出てきて、バイポーラのhパラメータの話すら無い#接合型FETの発明者は誰だ?
https://en.wikipedia.org/wiki/JFET [wikipedia.org]JFET was first patented by Heinrich Welker in 1945.[3]
スパムフィルターに引っかかるのであとはリンクを踏んでくれ
菊池誠さんの著書「幸運な失敗」をずっと昔に読んだことがありますが記憶によると点接触型トランジスタ発明のときの状況は次のようなものでした。 https://ja.wikipedia.org/wiki/%E8%8F%8A%E6%B1%A0%E8%AA%A0_(%E9%9B%BB%E... [wikipedia.org] https://www.kosho.or.jp/products/detail.php?product_id=423335758 [kosho.or.jp]
半導体による増幅器を作ろうとショックレーの率いる研究チームが努力してきたけど何年やってもうまくいかない。うまくいかないのは半導体の性質をよく分かっているつもりで続けてきたけど実はよく分かっていなかったのではないかということになり、当初の目的である半導体による
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犯人は巨人ファンでA型で眼鏡をかけている -- あるハッカー
電界効果型トランジスタの発明 (スコア:0)
電界効果型トランジスタのアイデア自体はかなり古く1930年代だったと思う。点接型や接合型より電子か正孔のみを考えればよいので原理はかなり単純ですし。
Re:電界効果型トランジスタの発明 (スコア:1)
実際に作ったのは、日立製作所の大野稔氏ではなかったでしょうか。
その頃バイポーラに注力していた会社でも日本でも全く評価されず、アメリカでは高く評価されて当時はMOSをミノル・オオノ・セミコンダクタの略だと勘違いする研究者も居たとか。
アメリカ人じゃないから歴史から消えちゃったんでしょうかね。島氏もインテルの社史から消えてるし。
Re: (スコア:0)
その名前 電子立国・日本の自叙伝 で見た記憶がある。いい番組でした
Re: (スコア:0)
その大野氏の書いた日立評論には「1962年,RCAのWeimer氏はCdSの蒸着薄膜を利用し,画期的なFETを発表し」とあるからFETの発明者ではないな。「1963年MOSトランジスタがRCAのHofstein氏,Heiman氏,筆者の一人(大野氏),FairChild社のWanlass氏によりそれぞれ独立に発表され」とあるからMOSのパイオニアであるのは間違いない
MOSトランジスタの開発
https://www.hitachihyoron.com/jp/pdf/1965/08/1965_08_11.pdf [hitachihyoron.com]
Re: (スコア:0)
シリコン基板の(100)結晶面特許などの実績もある。強力すぎて各社が必死に異議申し立てして特許の成立が遅れたという。
https://www.shmj.or.jp/dev_story/pdf/SEAJ_PDF/semi_13.pdf [shmj.or.jp]
https://www.semi.org/sites/semi.org/files/2020-09/31_Kaihatsuhiwa_2008... [semi.org]
Re: (スコア:0)
たしか、原理は単純だけど製造が難しかったので
原理を発表した人と、実際に動く素子を作った人は別人で、発表から実証までに数十年かかっていたとおもいます。
Re: (スコア:0)
たしか点接触型のトランジスタの発明も電界効果型を念頭においてなかなか安定した半導体表面ができなかったので。表面状態を調べようとして針当てて電位を計ったのがきっかけじゃなかったっけ。
針の当て方によって増幅作用が見つかったのはまあ偶然。
Re: (スコア:0)
LSI関連の教科書なんかではそのあたりの話とベル研の3人組の次は、合金型、メサ型とかプレーナ・プロセスに飛んじゃうんだよね
そのくせ回路設計に関しては最初からMOSトランジスタが出てきて、バイポーラのhパラメータの話すら無い
#接合型FETの発明者は誰だ?
Re: (スコア:0)
https://en.wikipedia.org/wiki/JFET [wikipedia.org]
JFET was first patented by Heinrich Welker in 1945.[3]
スパムフィルターに引っかかるのであとはリンクを踏んでくれ
Re: (スコア:0)
菊池誠さんの著書「幸運な失敗」をずっと昔に読んだことがありますが
記憶によると点接触型トランジスタ発明のときの状況は次のようなものでした。
https://ja.wikipedia.org/wiki/%E8%8F%8A%E6%B1%A0%E8%AA%A0_(%E9%9B%BB%E... [wikipedia.org]
https://www.kosho.or.jp/products/detail.php?product_id=423335758 [kosho.or.jp]
半導体による増幅器を作ろうとショックレーの率いる研究チームが努力してきたけど何年やってもうまくいかない。
うまくいかないのは半導体の性質をよく分かっているつもりで続けてきたけど実はよく分かっていなかったのではないか
ということになり、当初の目的である半導体による