Re:トンネル磁気抵抗素子、ねぇ
投稿者：Anonymous Coward (2004年03月03日 13時10分)、コメント先：新素子開発によりMRAM大容量化が可能になる
投稿者：Anonymous Coward (2004年03月03日 13時10分)、コメント先：新素子開発によりMRAM大容量化が可能になる
投稿者：mocchino (2004年03月03日 10時04分)、コメント先：新素子開発によりMRAM大容量化が可能になる
投稿者：keybordist (2004年03月03日 2時40分)、コメント先：新素子開発によりMRAM大容量化が可能になる
投稿者：MIYU (2004年03月03日 2時13分)、コメント先：新素子開発によりMRAM大容量化が可能になる
投稿者：jun_84 (2004年03月03日 0時18分)、コメント先：新素子開発によりMRAM大容量化が可能になる
投稿者：shoji12 (2004年03月02日 23時15分)、コメント先：新素子開発によりMRAM大容量化が可能になる
計算機科学者とは、壊れていないものを修理する人々のことである