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新素子開発によりMRAM大容量化が可能になる 10

ストーリー by Oliver
[A-Z]*RAM 部門より

MIYU曰く、"産業技術総合研究所MRAMの新素子を開発しています。(プレスリリース)MRAMはSRAM並に高速な読み書きが出来る上、フラッシュメモリの1/10程度の低消費電力、低電圧駆動、高集積、不揮発が原理的に見込めるという次世代メモリです。データ記憶には トンネル磁気抵抗(TRM)素子を使っていますが、現在の素子では磁気抵抗が70%・出力電圧が200mVという数値が上限だった為、集積度を上げるとノイズが影響して、64Mbit~128Mbit程度で集積度の限界が来ると見られていました。今回開発された素子(酸化マグネシウムの単結晶を使用)では、磁気抵抗が88%・出力電圧が380mVという結果が得られていて、Gbit級MRAMを実現するために要求される400mVの出力電圧をほぼ達成しているそうです。
現在使われているDRAM・フラッシュメモリ等に替わるものとしては、 FeRAM(強誘電体メモリ)OUMなども候補に挙がっていますが、3つのメモリの特徴を比べた記事がMYCOM PC WEB CNET Japanなどに掲載されていますのでご覧になってみて下さい。"

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UNIXはシンプルである。必要なのはそのシンプルさを理解する素質だけである -- Dennis Ritchie

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