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Intelが相変化メモリを2007年前半にサンプル出荷 29

ストーリー by mhatta
速度は500倍、消費電力は半分 部門より

jonykatz 曰く、

EE Times Japanの記事によれば、 Intelが128Mビット相変化メモリ(PRAM:Phase-change RAM)のサンプル出荷を2007年前半に開始し、 2007年末には量産を開始する計画とのことらしい。 IBMなどがプロトタイプ設計、製造に成功したという記事が少し前にあったが、 相変化メモリはNOR型フラッシュメモリを置き換えるものとして急速に注目を集めており、 Intelの出荷によって勢力図が結構変わる可能性もある。 Intel社の発表では「128MビットPRAMは、読み出し/書き換えサイクル回数を1億回も確保しており、 さらに10年間を超えるデータ保持が可能なことを実証している」とのことだが、果たしてPRAMの未来は?

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  • ビデオメモリとメインメモリのシェアと同じように、ストレージとメインメモリのシェアが行なわれたりするのかな。
    「○○GBのPRAMストレージを搭載(うち、最大○GBはWindows ReadyDriveとして割当可能)」とか。

    #メインメモリがビデオメモリに取られ、ストレージがメインメモリに取られ…
  • タレコミにもあったEETimes Jaoanの記事 [eetimes.jp]より。
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    90nmプロセス技術で製造した128Mビット相変化メモリー(PRAM:Phase-change RAM)のサンプル出荷を2007年前半に開始する予定であることを発表した。量産は、2007年末に始める計画だ。

    「PRAMは、NOR型フラッシュ・メモリーを置き換えるメモリー技術として登場したものの、現在では、その性能の高さから幅広いアプリケーションで使えると期待されている。このため、さまざまな電子機器のDRAMを置き換えるメモリー技術として注目を集めている」(同社)。
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    二つの件に分けましたが、今年前半にサンプル出荷・量産開始が今年末予定と言うことは、採算が取れるレベルの歩留まりが試験生産段階で確保できて、既に工場設備も十分に押さえてあるということでしょうけど、

    フラッシュROMではなく、いきなりDRAMの置き換え(として期待している)と宣っているあたりが非常に大胆というか、(ビット単位?)書き込み寿命が1億回程度でDRAMの代わりにできるのかなぁ?携帯電話とかの組込み家電に使われているDRAMを指しているんでしょうけど、主記憶に使うには(ECCやパリティなどの誤り訂正・検出技術なども使って)二桁三桁は書き込み寿命が上がらないと厳しいような。
    最初は普通のフラッシュROM(いわゆるJEDEC規格の奴とか)や電池で記憶保持をしているSRAMを使っているあたりの置き換えから始めるのが無難なように思うんですけどね。
    一番有望なのは、目に見える範囲だと機器内の組込みROMと携帯メディアの中身の置き換えのような気がしますが、流石に、SDカード系列やUSBメモリのような携帯用記録メディアとして8GBit/16GBitタイプが大量生産されているNANDフラッシュROMの代わりに使う為の物を量産かけるには歩留まりが高い状態で記憶容量の小さい物の数がさばけて担保取れるまでは難しいだろうし…
    • DRAMでなんでもかんでもランダムアクセスするようなアーキテクチャが時代遅れになれば問題ないと思います。たとえば最近なんでもかんでもデータベースで管理するようになりつつあります。メモリから外れますがファイルシステムですらデータベース化する話も聞きます。うまいこと管理してやれば効率よく記憶領域を扱えます。

      Windows Vistaがフラッシュを使って高速化する仕組みをつけたように、たとえばごく少量の超々高速メモリ+ちょっと遅い不揮発性メモリという組み合わせは悪くないと思います。将来的にCPU内にレジスタに準ずるような記憶領域を用意して(今で言うキャッシュみたいなものか)、その中にOSのメモリ周りのコアを入れてしまうのはどうでしょう。
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      • 別に新しくも何とも無くてワンレベルストアとかって呼ばれて昔からね; ;
        メモリクラッシュやセキュリティの問題や物凄い勢いでCPUの速度が勝っちゃうから研究目的で実装されても実用になったのってあんまり無かったり。
        MulticsとPalmくらい?それなりに実用にされてたの。
        親コメント
        • 私が言っているのは主にメモリをデータベース化することです。

          最近仮想マシンが流行っています。仮想コードを実行する段階で複数のCPUに処理させることが出来ます。しかし主記憶(メモリ)についてはどうでしょう。相変わらずリニアなアドレス空間をランダムアクセスしています。これは非常に無駄なことです。SQLはやりすぎでしょうけど、もっと高度化したアクセス手段を用意してやることで、仮想マシン内でいくらでもオプティマイズ可能になります。たとえば8086系のストリング命令をさらに進化させたものを作ってやったり、メモリ分散型アーキテクチャを効率よく利用できそうです。
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    • by Anonymous Coward on 2007年03月09日 14時54分 (#1123209)
      >>主記憶に使うには(ECCやパリティなどの誤り訂正・検出技術なども使って)二桁三桁は書き込み寿命が上がらないと厳しいような。

      現場サイドで言うと
      今のトレンドは寿命ではないです
      製品自体のライフサイクルが激しいので「より新しい」ものが好まれております。

      保証期間は、それらの製品に明記されておりますがおおよそ1年。
      現行のフラッシュメモリーでも通常の使用で最低でも3年は持つ計算なので問題ないです。
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      • >>>主記憶に使うには

        と引用しておいて、フラッシュメモリー製品のライフサイクルを持ち出しても意味ナス
        • 意味はなくないですよ。

          そもそもフラッシュメモリーを主記憶にしている端末って多いし
          逆に、「えっ~!!」そんなところにフラッシュメモリーつかっているの~
          で、メモリーが壊れたらどーすんのよって話は良くあること。

          と言うか。
          半導体フラッシュメモリーのライフサイクルより
          製品自体のライフサイクルが先って事が言いたかった・・・
          • 今でもブートローダから始まるプログラム一式やStaticなデータの部分をROMに配置して、そのまま動かすということはあるでしょうが、流石にスタックや可変変数の領域をFLASH ROMに配置することは色々と書き込み制約があったりするので、殆んどないのでは?
            MPU内部にFLASH ROMやRAMがあるようなプロセッサを使って、そのリソースの範囲内で動くようにチューニングする場合は未だに少なくないでしょうけど、あくまでもそれは小規模な組込みの場合ではなかったかと。

            携帯電話のようにアプリケーションがいろいろ入っている上にカーネル層で高レスポンスが要求されるような組込み機械だと、普通のFLASH ROMだと読むアクセス速度が厳しいので、ブートローダ+((OSカーネル+アプリなど)を圧縮した本体)をROMに配置しておいて、ブートローダがMPU内外のSRAMに本体を展開して、本体に制御を移すと言う手法が主流になっていると思いましたけど、携帯電話ほどリソースと要求されているコストが厳しいと、本体も圧縮しないで(MPU内部の?)FLASH ROMに配置したままで可変変数領域だけSRAMを使う。と言うことも未だにあるのでしょうか?

            # 因みに携帯組込み用のSH Mobile MPUでも、ローエンドと言うか初期のタイプ [renesas.com]
            # について見てみると(各社いろいろヴァリエーションはありますが)内蔵RAM(容量が小さいのでスタックや
            # テンポラリ変数に使われることが多いと思う)はあっても、フラッシュROMやDRAM/SRAMなどは外付けですね。
            # SHの根本アーキテクチャ自体がプログラムにかかわるROM/RAMは外付けみたい [renesas.com]
            # だし、FreeScale(旧Motorolla)社の自動車用プロセッサ [freescale.co.jp]のようにプログラムROMを若干積む
            # (1MBもあれば自動車制御には十分過ぎるか?)場合もあるようなので、
            # 内部ROM/RAMのみ(外部記憶は別として)でアプリケーションが複数動くようなワンチップMPUもあるのでしょうね。
            親コメント
          • 「端末開発の現場」ではそうなのかも知れんけど、メモリの開発で「製品のライフサイクル」が短いから、
            寿命も短くて良い、なんてことはしてないよ。そりゃ、「携帯電話なんて10年も使わんだろ」という話題は
            は度々出るけど、だからといって今のところ「信頼性保証は3年で良い」なんて事になってない。
            それから、携帯電話や携帯ゲームの主記憶に使ってるフラッシュって疑似SRAMや低消費電力のDRAMなんかと
            セットで使うことが多いので、必要以上に書き換えないようになっている。

            さすがにACだな
    • by Anonymous Coward on 2007年03月09日 13時28分 (#1123172)
      「注目を集めている」というのは正しいと思うよ。でもIntelが「置き換える」
      とは一言も言っていない。

      ユーザーだってDRAMの置き換えなんてはなっから期待していないと思う。
      PRAMが何に使えそうかというのも良く知っているはずだ。

      でも開発と営業は違うからねぇ。
      製品展開する会社がPRAMの現状を淡々とアピールしたらユーザーは退くよ。
      「ためしに作りました。採算取れなさそうだったらやめます」
      なんて姿勢が見えたらユーザーは使わない。代替物がないものは使わない。
      親コメント
  • 早とちり (スコア:2, おもしろおかしい)

    by Anonymous Coward on 2007年03月09日 12時04分 (#1123115)
    「メモリ」「サンプル」という単語を見て、またソリッドアライアンスが佐藤サンプルとのコラボレーションで USB メモリを出したのかと思った。

    # SushiDisk ウニ軍艦愛用者なので AC
  • by Anonymous Coward on 2007年03月09日 11時54分 (#1123111)
    Windows VistaにはWindows ReadyDrive [microsoft.com]という、フラッシュメモリを利用した高速化技術があるそうです。

    今回のPRAMがほどよい価格になり、マシンにそれなりの量が標準搭載されるようになると、他のOSでも同様の技術や発展したものが実装されるようになるかと思われます(すでにあるかもしれない)。

    使用中に激しく踊っても壊れないサブノートも実現できそうですが、そんな使い方はしないので、この方面の妄想はパスさせていただきます。

    -- A.C., nothing more, nothing less.
    • >使用中に激しく踊っても壊れないサブノートも実現できそうですが、そんな使い方はしないので、この方面の妄想はパスさせていただきます。

      Sony VAIOモバイルノートあたりで、iPodばりのCM [apple.com]が展開される?

      サブノートを片手でわしづかみして振り回す、というのはかなり苦しいか。
      • 別にユーザーが踊らなくても、激しい動きをするものに乗れば良い。
        つまり、Sony VAIOモバイルノートを持ったデブオヤジがダイエットのために
        ロデオボーイに乗りながら使おうとしたが、間違えてロデオマシンに乗った。
        そういうシチュエーションはありえる?!
      • > iPodばりのCMが展開される?

        これのこと [the-innercircle.com]ですか?

        -- A.C., nothing more, nothing less.
  • by Anonymous Coward on 2007年03月09日 11時54分 (#1123110)
    「Intelマザーボードで採用された!これはガチ」と思っちゃうからね。
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192.168.0.1は、私が使っている IPアドレスですので勝手に使わないでください --- ある通りすがり

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