研究開発が進む次世代不揮発メモリ「スピン注入メモリ」 27
ストーリー by reo
スパイラルネメシス 部門より
スパイラルネメシス 部門より
hylom 曰く、
最近、「スピン注入メモリ」と呼ばれるタイプの不揮発性メモリの研究開発が進んでいるそうだ (PC Watchの 記事) 。
スピン注入メモリ (STT-RAM) は「電子のスピンによって生じる磁界を利用して磁化の方向を変更することで、データを書き込む」というメモリデバイスで、電源を切ってもデータが消えず、また書き込みと読み出しが DRAM と同等以上と高速なのが特徴。
半導体デバイス関連の国際学会「IEDM 2010」(2010 IEEE International Electron Devices Meeting) では、この STT-RAM に関する研究成果が相次いで発表されたそうで、米ベンチャー Grandis が韓 Hynix と共同で 64 Mbit の STT-RAM チップを発表したほか、Samsung Electronics や IBM も発表を行ったという。日経 Tech-On! の記事によると、今回 Hynix が発表した 64 Mbit の STT-RAM チップは動作電が 1.8 V、読み出しアクセス時間は実測で 25 ns と、DRAM に近い性能を達成できるそうだ。
スピン注入MRAMですね (スコア:5, 参考になる)
ちなみにSTTはSpin Torque Transferの略。
最近ホットな研究分野ですね。と、磁性の研究やってるのでコメント。
反転電流下げるためには垂直磁化MTJ(Magnetic Tunneling Junction, 磁気トンネル接合素子)を使って、かつLLG(Landau-Lifshitz-Gilbert)方程式のGilbert制動項のαで表されるダンピング定数を小さくするといいと言われています。
ただし、反転速度はαが大きい方が速いとされてるので、難しいですね(それでも十分速く反転できるということのようですが)。
ちなみにαは通常、材料固有で、LLGの数式上は1に近いほど速いことになるのですが、HDDとかに使ってるCoPtCr系の材料は0.01～0.05と非常に小さい・・・それでもSTT-MRAM研究してる人にとっては大きいらしいですが。
ということで、MTJにいったいどんな材料を使ってるのかが個人的には気になるのでした。
Re: (スコア:0)
Re: (スコア:0)
「DRAM並に早く効く」
ちがうか。色んな軸が。
Re: (スコア:0)
Re:スピン注入MRAMですね (スコア:2, 参考になる)
Perpendicular Spin Torques in Magnetic Tunnel Junctions [aps.org](PRL 100, 246602 (2008))
これですかね？
家からだと中が読めないので、来週研究室で確認してみようと思います(笑)。
Re: (スコア:0)
昔のMRAMとは全く原理が異なるので、スピン注入MRAMとは言わず、STT-RAMと別物扱いになっていると思います。 （FlashとEEPROMって別物扱いですよね？）
Re:スピン注入MRAMですね (スコア:1)
従来型のMRAM(電流磁場方式)と方式は違いますが、MRAMの種類の一つとしてスピン注入方式のMRAMは認知されていると思います。少なくとも、別扱いという話は聞いたことがありません。
「STT-RAM」という表現って、PC Watchとかではよく見るけど、論文や学会発表等では「STT-RAM」より「STT-MRAM」という方が多いように感じます。
ということで、「STT-MRAM」と「STT-RAM」をGoogle Scholarで検索してみました。
STT-RAM [google.co.jp]: 171件
STT-MRAM [google.co.jp]: 290件
なお、STT(Spin Torque Transfer)を日本語訳した「スピン注入」で、"スピン注入MRAM"としても1件はヒットしました。
「スピン注入 MRAM」と分けて検索すれば48件ヒットしました。
ちなみに、普通のGoogleで検索すると、STT-RAM：6530件、STT-MRAM：59500件、"スピン注入MRAM"：7650件、"スピン注入メモリ"：14700件。
一般的なウェブサイトで日本語表記するときには「スピン注入MRAM」より「スピン注入メモリ」という人が多いよう・・・。ただしGoogle Scholarで"スピン注入メモリ"は1件もヒットしないことを追記しておきます(「スピン注入メモリ」と論文等で書く研究者はほとんどいない)。
最後に、FlashはEEPROMと別扱いなのではなく、FlashはEEPROMの種類として扱われてると思います。
少なくとも自分の使ってた大学院の教科書ではそうなってます。
市販レベルの製品(USBメモリなど)をさしてEEPROMという人を見たことはないですが・・・半導体は専門外につき深くは書けません。詳しい方フォローをお願いします。
電子、磁気、スピン (スコア:3, おもしろおかしい)
コン・バトラーVか。
らじゃったのだ
Re:電子、磁気、スピン (スコア:1)
まだ「超」が足りない。
Re: (スコア:0)
竜巻はどこへいった？
Re: (スコア:0)
冷却用に超電磁ファンが必要なのかも知れない
#各パーツごとにドスブレッシャーとかバトルガレッガーとか…
#グランダッシャーが好き
Re: (スコア:0)
Re: (スコア:0)
商品名に (スコア:2, おもしろおかしい)
精神注入メモリとか根性注入メモリとかが出てくると予想。
Re:商品名に (スコア:1)
気合い注入メモリとかどうでしょう？アニマル浜口的意味で(笑)
セキュリティ対策に (スコア:1)
MRAMの一種ですよね。なんでもピップエレキバンで壊せるとかいう。
パスワード入力をミスったらその場で電磁石で破壊できるノートパソコンとかべつにほしくない。
Re:セキュリティ対策に (スコア:2, おもしろおかしい)
机の一番上の引き出しにダミーの日記帳を入れておく。
家捜しした人は、このささやかな秘密を見つけたことで満足するだろう。
本当のカギはこのボールペンの芯。
これを引き出しの裏側から差し込むことで2重底を持ち上げてメモリを取り出す。
ボールペンを使って絶縁せずに強引に中身を取り出そうとすると
自動的に電磁石に電流が流れてメモリの中身が消去される。
この程度の仕掛けならボヤにもならないし、細工をした理由も
"本当の黒歴史を知られたくなかったから"というもっともらしい理由で説明できるしね。
Re: (スコア:0)
Re: (スコア:0)
地磁気等の外乱で (スコア:0)
オチではないかと勝手に想像。
これは便利・・・ ？ (スコア:0)
メモリリークのあるＯＳの場合は定期的なメモリのフォーマットが （＞＜
Re:これは便利・・・ ？ (スコア:1)
Re: (スコア:0)
今だって起動時/再起動時にはメモリの初期化を行っていますが。
Re: (スコア:0)
COLDだとメモリは初期化されてしまうけど、HOTだとどうなんだろう。
昔のMZ-80Bとか、クリーンコンピュータはHOTだとメモリの初期化はされなくて、
Monitorプログラムを読み込ませるとメモリダンプを保存できた。
今はMMUが物理メモリを管理してるから、MMUがリセットされてたらあまり意味はないのかな。
物理メモリに情報が残ってても、FATのトンだディスクみたいなもんだろうし。
Re: (スコア:0)
デバグ用隠しBIOSコマンドですけど。
メインメモリ容量 < フロッピ容量だったから昔は・・・
Re: (スコア:0)
といっても、OS側のサポートがなければ、単なるNMIスイッチですが。
Re: (スコア:0)
Clear page file at shutdownのような素敵な方法がF8起動メニューに追加されるとか。
今だってディスク側にメモリ内容を保持することくらいやってるのさ。