MIYU 曰く、
EurekAlertの報道によると、
イリノイ大学のミルトン・フェング教授とそのチームが、
現在彼らが所有している「世界で最も速いトランジスター」の記録を
更新している。
最新のデバイスの周波数は509GHz。
前の物よりも57GHz速くなったそうだ。
この「イリノイ・バイポーラ・トランジスター」は
インジウム燐化物およびインジウム・ガリウムひ素で作られている。
教授によると、「このシステムはシリコン・ゲルマニウムのトランジスタ
より本質的に速く、はるかに高い電流密度を支援することができる」ということだ。
高速のコミュニケーション製品、家電および電子戦闘システムのようなもの
に利用されるようになるらしい。
「最終ゴールは、テラヘルツ・トランジスターを作ること」
だそうだ。
IBMが最大350GHz動作が可能なSiGeトランジスターの
発表をしたのが1年ほど前のことで、
高画質のビデオ転送にも十分対応できるデータ転送容量になる、
と報道されていたように記憶している。
だが、今回の報道を見る限り、こちらの方がより高速のようだ。量産に問題があるのだろうか?
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electronic combat systemsを電子<戦闘>システムにしたが
電子<格闘>システムが正しいかもしれない。
技術資料だから、原文リンクで良いと思ったので、POSTします。