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テクノロジー

約20年間原因不明だったDRAMセルの記憶保持時間の変動要因を解明

タレコミ by Anonymous Coward
あるAnonymous Coward 曰く、
日立製作所とエルピーダメモリはDRAMセルが電荷を保持する時間(記憶保持時間)の変動が、トランジスタのp-n接合からのリーク電流に起因することを解明したと発表(ニュースリリース:約20年にわたり原因が不明であったDRAMセルの記憶保持時間の変動要因を解明)した。
内容は専門的過ぎて私には理解不能ではあるが、今後さらに微細化・高速化・低電力化していくDRAMセルのマージンを確保するための基礎的な問題の一端が解明されたことで、今後のさらなるDRAMの進化が期待できそうだ。
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