中国科技院、メモリー・リングを活用した新型MRAMの開発に成功
タレコミ by dailycn
dailycn 曰く、
中国科技院(Chinese Academy of Sciences)の 物理研究所のHan Xiufeng教授が率いる研究チームが、 メモリー・リングを活用した新型MRAMの開発に成功したと発表したらしい ( EE Times Japan、 中国科技院のリリース)。 開発した新型MRAMは、情報の格納に ナノスケールのリング状磁気トンネル接合 (NR-MTJ:Nanometer-scale Ring-shaped Magnatic Tunnel Junction)を 使い、メモリー・セルに情報を書き込む際は、 正と負のパルス電流を使って磁気モーメントを回転させることで行うとのこと。 新型MRAMの原理、構造を採用すれば、既存のものに比べて 消費電力を削減でき、メモリー・セルの小型化を実現できるらしい。