低コストなSi貫通電極とは異なる新3次元積層技術

elfbin 曰く、

Vertical Circuits社が、 Siダイを3次元に積層する Si貫通電極に類似し、かつ低コストな技術を開発したと発表したとのこと。 このVIP（Vertical Interconnect Pillar）と呼ぶ技術は、薄い絶縁膜を表面に形成したSiダイを 積層し、Siダイの側面に配線を作り込むもので、Siダイの設計やレイアウトに変更を加える必要がない という利点があるとのこと。そのあたりの兼ね合いでSi貫通電極よりは低コストということか。