ムーアの法則を延長する空気チャンネルトランジスタまたは金属空気トランジスタ
タレコミ by maia
maia 曰く、
豪RMIT大学(メルボルン)の研究者が、金属ベースの空気チャンネルトランジスタ(ACT:Air Channel Transistor)を開発した。ACTは35nm未満のエアギャップによって対向した電極を使い、基板から垂直方向にトランジスタを構成していく(GIGAZINEの記事、IEEE Spectrumの記事、Nano Letters掲載の論文)。35nm未満は大気中の平均自由行程以下であり、散乱の影響がない。空気中、真空中、高放射線下でも作動する。微細化ではなく立体構造によってトランジスタの密度を増加させることができ、またシリコン半導体製造に比べて処理工程が簡素化され、製造コストを大幅に削減できる。現在は電極にタングステン、金、プラチナを用い、概念実証を終えた段階だが、ACTの理論速度はTHz(テラヘルツ)であり、今後10年間で商用レベルのトランジスタを開発するという。
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