m-hashの日記： 8/8

8/8（金）

3時半、帰宅。4時就寝。
11時、起床。研究室へ。

昨日成長したサンプルのPL測定、膜厚測定。
ozuma氏の結晶成長（AlN）を手伝う。

窒化のパワーが強すぎて、V族リッチの条件になりやすい。
RFのパワーをかなり落として成長。-->200W。
それでもRHEED像は透過スポットである。
Alを増やしていくと、あるところでIII族リッチに。
これはよく言われていることだけど、
ストイキオメトリーのウィンドーはかなり狭い印象を受けた。
これはGaNの成長にも共通している。

J助教授による打開策として、1.LT緩衝層の後の成長の
成長レイトを落としてしばらく成長する、2.LT緩衝層の
膜厚の最適化（もっと厚く、もしくは無しで）が挙げられた。

結局目的である、平坦なAlNの成長は達成されないまま、
2枚の結晶成長を終了。

ワン氏に学会の旅費は出ないかと聞いたら、
全額は出せないと言われる。どう考えても、
Zなんかより僕の方が学会旅費を有効活用しているのだが。
ほぼ全日セッションに参加して勉強するし、質疑応答にも
できるだけ参加する。共同研究者の質疑応答を助けることもある
（立場が上のはずのZ、おまえも助けてやっただろ、前回）。
助手Zは、自分の講演する日にしか来ないばかりか、
自分の講演の直前に来て他を聞こうともしない。
それと、学会に（ブサイクな）愛人と来るな。見苦しい。
Zに出すぐらいなら僕にお金を出して欲しい。

我々のグループは土曜に成長する予定になっていたのだが、
pedroの都合で今日の深夜から始め、土曜の夕方には終わることに。
というわけで、23時から基板準備。

翌日1時半ごろから成長開始。