m-hashの日記： 8/9

8/9（土）

1時半ごろ、成長スタート。
とりあえず平坦なGaNの成長が目標。

pedroの事情でこんな深夜から実験をやってるのに、
いきなり1枚目からpedroが寝始めて、少しむかつく。
こっちとしては土曜の昼からの方が全然良かったのだが。

1枚目：
窒化、LT緩衝層までは予定通りうまくいく。やはりRFの力はすごい。
GaN層はRFのパワーを押さえて低速成長。
V族リッチに。V/III比をいぢる。
表面は回復傾向にあるかに思われた。
が、ここでアクシデント。だんだんシュラウドが流れなくなった。
どうもシュラウドラインのどこかで、水が凍っている模様。
急遽成長を中止して、Gaのセル温度を下げた。

6時半ごろ、装置を立ち下げて、そのまま疲れて寝た。

11時ごろ、研究室で目を覚ます。

あまり何もしなかったような。
早朝の故障で研究室に対する怒りが込み上げてた。
故障箇所を簡単に補修。

20時ごろ、アパートに帰ったが、人から会わないかという
提案が入る。いらいらや怒りなので、精神的に参ってたので、
会いたくないと言ったのだが、結局会うことに。

でもやっぱりいらいらして帰ってしまう。
研究室で寝ることに。