m-hashの日記： 8/11

8/11（月）

9時、研究室へ。今日はGaN結晶成長。
9時半からスタート。

今日の目的は成長レイトを落として、平坦なサンプル
を成長すること。

1枚目、

通常よりGaフラックスを多めに。RFプラズマパワーはとりあえず
200Wで。透過スポットに。V/III比が良くない模様。
ドロップレットは無かった。

2枚目、

Gaフラックスはそのままで、
RFプラズマのパワーを下がることに。200W->150W。
成長開始直後、RHEED像がきれいなストリークに変化。
V/III比はこれで合ってそう。
成長の最後の段階で、像がやや暗くなった。
だが、後の光学顕微鏡による表面観察ではGaドロップレットは
見つからなかった。

3枚目、
LT緩衝層無しで表面平坦性がどう変化するかを確かめる。
フラックスは2枚目と同じ。Moブロックが違うため、微妙に
成長温度が違うので、比較しづらいのだが。
N化直後にcubic相が見られた。これはLT緩衝層が無いのが原因か？
その後、透過スポットが顕著になってきた。
基板温度の違いに因るものなのだろうか、判断がつかない。
もう一度チェックする必要あり。
このサンプルは表面にドロップレットが見られた。

久しぶりにCDを買った。サード・アイ・ブラインドの新作。

1時半、成長終了。装置の立ち下げ。
2時前、帰宅。
3時就寝。