m-hashの日記： 8/13

8/13（水）

10時過ぎ、研究室へ。再び結晶成長の日。
現在、装置は無休で稼動中。学生は一日交代で成長している。
今日は成長温度を下げて、成長条件を振る予定。

1枚目、
LT緩衝層を厚めに積んで、表面の変化を見ることに。
結果はあまりよくなかった。
LT緩衝層を積む時のV/III比がずれているからだろう。
低温なためなかなか難しい。
でも、表面や光学特性はLT緩衝層をどれだけうまく
積むかにかかっていると思われる。
今までのは何だったんだろうか？
でも条件だしする時間が無いんだよな。

2枚目、
緩衝層の成長温度を上げた-->600℃。
N2の流量を下げた-->0.8SCCM。
緩衝層成長後は透過スポット。
どのくらいのきれいさが必要なのか良くわからない。
ストリークにできるのか？
GaN成長直後にストリークに変化。
V/III比はこれでかなり近くなったと思う。

3枚目、
基板温度650℃で成長。
RHEED像はやや暗く、部分的にスポッティー。
V/III比は微妙にIII族リッチか。
光学顕微鏡では意外にもドロップレットがあまりなかった。
部分的に多い箇所もあったが。
サンプルは鏡面になっていた。

23時40分、立ち下げ終了。かなり疲れた。
24時、帰宅。