m-hashの日記： 9/11

9/11（木）

10時、研究室へ。
基本的には論文の続き。
何回も読み直して、いい論文になるように改訂を重ねる。
やはり英語ライティングは難しい。
僕の中ではもっとも難しいのがライティングのような
気がする。喋るのは何とかなるもんだ。
それに比べて、文章はひどい場合は目も当てられない。

今日は結晶成長をする予定だったが、pedroに任せる。

2時、EPMA測定をしようとしたが、前の測定者がまだ
終わっていない。電話すると、明日の午前中までやると言う。
確かに朝、研究室に訪ねてきて、「午前中まで測定させて下さい。」
と言ってきた奴がいたので快諾してやったが、
明日の午前中までだったのか。やられた。
相手がN研だったので、おとなしく引き下がる。
測定は明日に延期。

時間が出来たので、結晶成長を手伝う。
今日はAlNバッファ層を積んで、表面の変化を調べる予定。
これまでのN化プラス低温バッファでは、N極性になるので、
それを改善するのが、ここ数日の目標。
デバイス作成にはこれを避けて通れない。

1枚目：AlN高温バッファ。やや長め。-->透過スポット。
2枚目：AlN高温バッファ。短め。
3枚目：AlN低温バッファ。やや長め。-->消えた。

AlNバッファ層を採用することで、
Ga極性での成長が達成されたような気がした。
これで特性がかなり改善されそう。