m-hashの日記： 9/18

9/18（木）

9時起床。9時半研究室へ。

今日は結晶成長の日。少し久しぶりだ。
だが今日は朝から少しだるかった。

緩衝層をどうするかが当面の課題。
HT-AlN、LT-AlNなどを試しているが、
昨日のPL測定で、HT-AlNの場合のみ発光を示したことから、
HT-AlNの条件を詰めることに。

1枚目：HT-AlN30秒成長の予定。
N化の時点でおかしかった。AlNを積んでもポリになってしまう。
GaN成長中に落下。帰らぬ人に。

2枚目：HT-AｌN30秒程度積む。
緩衝層は一気に消えてなくなりそうになる。
GaNを成長するも、スポッティかつ暗いなRHEED像を示す。
GaN成長中にRHEED像は消えた。
III族リッチのようだ。

3枚目：上記2枚と同じことを再び。
緩衝層はAlフラックスを減らす。
これが功を奏して、30秒成長後もストリークなパターンを維持。
GaN成長開始。きれいなストリークパターンを維持するが、
像は暗くなる。
ミーティングに参加して戻ってくると像は消えていた。
微妙にIII族リッチだ。

途中で研究室ミーティングに参加した。
相変わらずバカ助手は何をやってんだか。
そんななか、
ボスに、僕がP.D.たちの面倒を見ろ、的な
発言をされ、唖然とする。
なんで高い給料もらってるP.D.の野郎どもの
面倒を無給の俺がしなくてはならないんだ?

要は僕がリーダーとなって、どういう測定を
してどういうことを明らかにしていくかを計画を立てて、
P.D.たちにサンプルを供給して、
計画通り測定をやらせなさい、ということらしい。

いや、研究計画ぐらい自分で立てるけど、
何でそれを他人にやらなければならない？
しかも相手はP.D.だ。どんだけアホなP.D.を雇ってんだよ。
P.D.なら自分で研究できるように自分から動けよ。
サンプルが欲しいなら成長方法を自分から習いに行く
ぐらいのことしてくれ。
普段から中国人だけで固まってヘラヘラして、
日本人学生には議論どころか挨拶すらしないくせに。
そんな奴らのことなど知るかよ。

まったくこれにはムカついた。
これが日本のアホな研究室の実態なんだよ。
学生を何だと思ってんだ。

22時半、成長終了。後片付け終了。
24時、帰宅。