m-hashの日記： 9/21

9/21（日）

今日も1人で結晶成長。土日をすべて返上。
異常なほどの頑張りようである。
やれる時にどんどん実験をやらないと。
僕に残された時間は少ない。
在学中にやれることは全てやってやる。
ゾヌは来年以降、俺の残りカスで生き長らえろ。
10時スタート。

今日はSiを同時ドーピング。
エレクトロンを同時ドープすることにより、
磁性、輸送の変化を調べるのが狙い。

Y田理論の検証にもなるし、
強磁性のメカニズムを明らかにする手掛かりにも
なるので、重要な成長だと思う。

1枚目：Crセル温度=995度、Siセル温度=1080度。
普段やらない、セル4本同時に高温にしての成長のため
GC内の真空がかなり悪くなる。普段のシュラウドの量では
全然足りない。気がつくと、ひどい状態になってた。
正直成長続行は無理かと思ったが、シュラウドを普段の2倍にして、
真空回復を待つ。負担軽減のためAlセルは下げた。

このサンプルはあまりうまく出来なかった。しかし、
いい経験にはなったかなと。ドイツに行って
同じ失敗は繰り返さないだろう。

2枚目：Crセル温度=995度、Siセル温度=1080度。
成功か。

3枚目：Crセル温度=995度、Siセル温度=1140度。
Cr固定で、Siの濃度を振る。成功か。

表面は特別良くないと思うが、とりあえずサンプルは出来た。
おそらく、Cr、Siの同時ドーピングは世界で初だろう。
これで磁気特性、輸送特性を調べて、考察すれば、
余裕でAPLはいくであろう。どんな結果がでるか楽しみだ。
この勢いでどんどん行こう。目標、卒業するまでにあと3本。

途中でトラブったため、終了が予想よりかなり遅れた。
その後もM後輩がLN2が入らないと言って来たので、
手伝ってやったので、結局帰れたのは24時。

I木市へ。夕食の約束が遅れてしまった。
本当にごめんなさい。