NTT、人工原子や人工分子の作製に成功

あるAnonymous Coward 曰く、

NTTが6月27日、原子1個の誤差も無い半導体量子ドット（人工原子）と、それを組み合わせた人工分子の作製に成功したことを発表した（PC Watch）。

分子線エピタキシャル成長（MBE）法 によって作製した半導体の清浄表面の上に、低温走査トンネル顕微鏡（STM）を用いた原子操作によって、原子をブロックのように積み上げることで実現したという。この技術を用いることで、原子レベルの再現性をもつ究極の量子デバイスが作製可能になるとしている。

今回発表された技術は、STMを用いて6～25個のインジウム（In）原子をインジウムヒ素（InAs）基板上に並べて固定することで量子構造を作るというもの。