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プロセスはIntelだけ突出してるからなぁ……
最近はインテルも足踏みしてて、以前ほど圧倒的に先に進んでる感じはない。TSMCとSamsungに追いつかれつつある。TMSCも今年10nm、来年から再来年に7nmだし。
> 「プロセスルールなんてベンダーごとに適当に決めてるもので、単純にベンダー間比較はできない」
これはその通りだけど、
> 同じくサムスンやTSMCの14/16nmなんてIntelでいえば22nm程度
これについては、 http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1329279 [eetimes.com] を見る限り、Samsungの14nmは、Intelの22nmよりは明確に小さいのでは?長さに関する3つの指標でIntel 22nmと比べて、それぞれ77%、87%、80%というサイズ。SRAMセル面積指標だと70%だから、平方根をとって長さの指標に直すと84%。一番悪い87%という値を使っても、Intel 22nm基準で19nm、一番良い77%という値を使うと、I
集積度に一番効くのはメタルピッチなので、表の中のMinimum Metal Pitchで比較すべきでしょう。それでいえばIntelは22nmと14nmの比はメタルピッチの比と一致しています。Samsung、TSMCはメタルピッチでいうと、Intelの17nm~18nm相当です。次に重要なのがGate Pitchの項ですが、これもIntelの数字とSamsung,TSMCとは開きがあります。
最後にGate LengthはSamsung,TSMCが優秀なように見えますが、正直Gate Lengthで比較して意味があるとも思えません。リーク電流削減のため、不用意にGate Lengthを小さくしないようにしているので、それよりFinFETならフィンの高さとか、フィンのピッチで比較すべきだと思います。
#3065820 の AC です。
> 集積度に一番効くのはメタルピッチなので、表の中のMinimum Metal Pitchで比較すべきでしょう。> それでいえばIntelは22nmと14nmの比はメタルピッチの比と一致しています。
ありがとうございます。半導体プロセス技術については完全に素人なので、詳しい方の意見を伺えるのは助かります。
> Samsung、TSMCはメタルピッチでいうと、Intelの17nm~18nm相当です。
64/52*14=17.2なので、有効数字2桁なら17nmと表現するのが妥当ということですかね。
ということは、・TSMCのいう16nmは 1nm以上サ
その理解であってます。もう少し付け加えるなら、半導体プロセスのフルノード、ハーフノードの考えも影響してます。
フルノードとは、90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、16nmと続く系列。1ステップで2^0.5だけ縮小。ハーフノードは、それぞれのフルノードの2^0.25だけ縮小したもの。22nmのハーフノードが20nm、16nmのハーフノードが14nmって感じですね。
プロセスの数字は、計算してちょうどの数字を名乗ってるわけではなく、上のルールに当てはめて一番近い数字で名乗るのが慣例です。なのでTSMCの16nmというのもそれほどおかしいわけではないです。
詳しい解説はeetimesの記事の2ページ目が参考になると思います。私も完全に同意です。やっぱりIntelのリードがとても大きいことに変わりないという理解です。
> その理解であってます。[以下略]
了解です。どうもありがとうございました。
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もしQualcommから委託受けたらGFとTSMCが死んでしまう (スコア:0)
プロセスはIntelだけ突出してるからなぁ……
Re:もしQualcommから委託受けたらGFとTSMCが死んでしまう (スコア:0)
最近はインテルも足踏みしてて、以前ほど圧倒的に先に進んでる感じはない。
TSMCとSamsungに追いつかれつつある。
TMSCも今年10nm、来年から再来年に7nmだし。
Re: (スコア:0)
> 「プロセスルールなんてベンダーごとに適当に決めてるもので、単純にベンダー間比較はできない」
これはその通りだけど、
> 同じくサムスンやTSMCの14/16nmなんてIntelでいえば22nm程度
これについては、
http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1329279 [eetimes.com]
を見る限り、Samsungの14nmは、Intelの22nmよりは明確に小さいのでは?
長さに関する3つの指標でIntel 22nmと比べて、それぞれ77%、87%、80%というサイズ。
SRAMセル面積指標だと70%だから、平方根をとって長さの指標に直すと84%。
一番悪い87%という値を使っても、Intel 22nm基準で19nm、
一番良い77%という値を使うと、I
Re: (スコア:0)
集積度に一番効くのはメタルピッチなので、表の中のMinimum Metal Pitchで比較すべきでしょう。
それでいえばIntelは22nmと14nmの比はメタルピッチの比と一致しています。
Samsung、TSMCはメタルピッチでいうと、Intelの17nm~18nm相当です。
次に重要なのがGate Pitchの項ですが、これもIntelの数字とSamsung,TSMCとは開きがあります。
最後にGate LengthはSamsung,TSMCが優秀なように見えますが、正直Gate Lengthで比較して意味があるとも思えません。
リーク電流削減のため、不用意にGate Lengthを小さくしないようにしているので、
それよりFinFETならフィンの高さとか、フィンのピッチで比較すべきだと思います。
Re: (スコア:0)
#3065820 の AC です。
> 集積度に一番効くのはメタルピッチなので、表の中のMinimum Metal Pitchで比較すべきでしょう。
> それでいえばIntelは22nmと14nmの比はメタルピッチの比と一致しています。
ありがとうございます。半導体プロセス技術については完全に素人なので、詳しい方の意見を伺えるのは助かります。
> Samsung、TSMCはメタルピッチでいうと、Intelの17nm~18nm相当です。
64/52*14=17.2なので、有効数字2桁なら17nmと表現するのが妥当ということですかね。
ということは、
・TSMCのいう16nmは 1nm以上サ
Re: (スコア:0)
その理解であってます。
もう少し付け加えるなら、半導体プロセスのフルノード、ハーフノードの考えも影響してます。
フルノードとは、90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、16nmと続く系列。1ステップで2^0.5だけ縮小。
ハーフノードは、それぞれのフルノードの2^0.25だけ縮小したもの。
22nmのハーフノードが20nm、16nmのハーフノードが14nmって感じですね。
プロセスの数字は、計算してちょうどの数字を名乗ってるわけではなく、上のルールに当てはめて一番近い数字で名乗るのが慣例です。
なのでTSMCの16nmというのもそれほどおかしいわけではないです。
詳しい解説はeetimesの記事の2ページ目が参考になると思います。
私も完全に同意です。やっぱりIntelのリードがとても大きいことに変わりないという理解です。
Re: (スコア:0)
#3065820 の AC です。
> その理解であってます。
[以下略]
了解です。どうもありがとうございました。