「IBM、銅配線間に真空の空間を作り出す技術を開発」記事へのコメント

真空と聞いて

[taka2 (14791)]

とりあえずふわふわの泉 [wikipedia.org]を思い出したのですが、それはさておき、

「伝送速度は35%向上し、消費電力は15%削減」なんて派手なことになるということは、おおざっぱに「時定数35%減→寄生容量が35%減」として、
SiO₂の比誘電率は4前後 [nikkeibp.co.jp]ですから、およそ配線周辺の43%が真空領域ってことになります…

真空部分では熱伝導は無くなるわけですから、そういうチップは廃熱効率が悪くなるってことはないですかね? ちょっと心配

真空ではなく空気

[Anonymous Coward]

日経では真空では無く空気になってる
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20070507/131982/?ST=lsi

LSIプロセスの常識からすると，真空中でCVDなどは出来ない．
（堆積する素材となるガスが存在すればそれは真空では無い）
たとえLSIの中に真空の穴を作れたとしても，後工程の熱処理でまわりからアウトガスが放出されて真空では無くなる．

Re:真空ではなく空気

[phason (22006)]

>日経では真空では無く空気になってる

今見た限りでは空気とは書かれていないようですが……
#記述変更？

>後工程の熱処理でまわりからアウトガスが放出されて真空では無くなる．

とりあえずナノポアの焼成温度は450-500℃ぐらいのようですので，この温度までで
degasしてくるものは抜けているかと．
で，後は真空の定義の問題でしょうか．真空とは言っても誘電率さえ下がればいいんで，
XHVやUHVは要求されていないでしょうから，多少のdegasがあったとしても少量だったり
再吸着する程度なら真空と呼んでもいいのではないかと．
#本当に真空かどうかは知りませんが．