新聞などの記事では『時間とともに劣化する』というような表現になっているが、実際は『起動後（電源投入後）、徐々に性能が低下する』といったところじゃないの？（シリコン・デバイスそのものが永久的に変質・劣化するわけじゃない） 元のIntelのプレス・リリースの表現も『degrade over time』となってるけど、もうちょっと素人向けに丁寧に説明した方が良いと思うが.......
http://www.anandtech.com/show/4142/ [anandtech.com] Intel expects that over 3 years of use it would see a failure rate of approximately 5 - 15% depending on usage model.
http://www.anandtech.com/show/4143 [anandtech.com] The problem in the chipset was traced back to a transistor in the 3Gbps PLL clocking tree. The aforementioned transistor has a very thin gate oxide, which allows you to turn it on with a very low voltage. Unfortunately in this case Intel biased the transistor with too high of a voltage, resulting in higher than expected leakage current. D
時間とともに劣化する？ (スコア:1, 参考になる)
元のIntelのプレス・リリースの表現も『degrade over time』となってるけど、もうちょっと素人向けに丁寧に説明した方が良いと思うが.......
壊れるらしい (スコア:3, 参考になる)
>シリコン・デバイスそのものが永久的に変質・劣化するわけじゃない
AnandTechの記事からすると、長期的な使用で壊れるらしい。
http://www.anandtech.com/show/4142/ [anandtech.com]
Intel expects that over 3 years of use it would see a failure rate of approximately 5 - 15% depending on usage model.
熱設計ミスったか、配線設計がタイトすぎたか、その辺なのかねぇ。
Re: (スコア:0)
微妙なタイミング設計の問題で、例えば希にメタステーブルが発生して動作不良につながるようなことを想像したが
#メタステーブルはあくまでも例えです（それほど単純なミスじゃないと思う）
Re: (スコア:5, 参考になる)
>３年間長期使用した場合に不良が一度でも発現する割合が5%～15%ってことじゃないの？
と言うわけでも無いっぽい．
Anandの続報(続き？)によれば，
http://www.anandtech.com/show/4143 [anandtech.com]
The problem in the chipset was traced back to a transistor in the 3Gbps PLL clocking tree. The aforementioned transistor has a very thin gate oxide, which allows you to turn it on with a very low voltage. Unfortunately in this case Intel biased the transistor with too high of a voltage, resulting in higher than expected leakage current. D
Re: (スコア:1)
パッと思い付くのはエレクトロマイグレーション [wikipedia.org]による劣化か？
Re:壊れるらしい (スコア:0)
記事を素直に読めば、ゲート酸化膜の絶縁破壊。