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仰ることに基本的には同意なんだけど、更に細かいツッコミを。
> >この「イリノイ・バイポーラ・トランジスター」は > >インジウム燐化物およびインジウム・ガリウムひ素 >で作られている。 > > と書いてあるように、これはGaAsトランジスタです。
うーん。これは InP と InGaAs ということでしょ。GaAs などと同じ類の化合物半導体ということで(おそ らくこの AC 氏はその意図で書いてるんでしょうが)。
> GaAsは化合物半導体であることなどにより、 > > ・大きな単結晶をつくることが難しい
うーん。確かに「化合物だから」というのは外れてはいないと 思いますが、直接には化合物半導体の多くが line compound (組成の幅が非常に狭い化合物)だから、ということと、化合物 を構成する元素の蒸気圧が非常に高くて組成偏倚をおこしやすい こと、が理由ですよね。
加えて言うと、その原料の多くは有害なものなので、これまた 問題だったりします。
ただ元発言の他の箇所に関してはそんなにはずれていないと 思います。化合物半導体が、たとえば20年前のSi半導体位の 量産に乗ること自体は、ニーズがあればそう遠い日のことでは ないとは思いますけど。
# 一応関係者なのでAC。
ん? ここ [srad.jp] で言ってる「元発言」って これ [srad.jp] のことだと思うんだが。
えー、 #431180 [srad.jp] のACです。
> と書いているからとりあえず、まちがっているわけでもないと言ってるわけですよね?
というその箇所ですが、あれはあえて言えば「説明不足」なんです。たとえば GaAs と InP は別のモノですし、化合物であっても 場合によっては比較的容易に単結晶の育成が可能です(現在のあ
まぁ一般用途の半導体はやはりSiが幅を利かせ続けるでしょう。 なんてったってあの単結晶育成技術はすさまじいので。ただ、 今後は化合物半導体でなければできないこと、というのは増えて いくだろうから、その筋では伸びるんじゃないですかね。Siニッチ みたいな感じで。
むしろ最近は、ゲルマの特性が見直されてる分野がある位です しね。
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人生の大半の問題はスルー力で解決する -- スルー力研究専門家
もうちょっと調べてからコメントしてね。 (スコア:4, 参考になる)
コメントつけずにちょっと自分で調べてからコメ
ントしてほしいですね。
>この「イリノイ・バイポーラ・トランジスター」は
>インジウム燐化物およびインジウム・ガリウムひ素
>で作られている。
と書いてあるように、これはGaAsトランジスタです。
GaAsは化合物半導体であることなどにより、
・大きな単結晶をつくることが難しい
・超高速領域以外ではSiベースのCMOSプロセスなどに
対して優位性がない(消費電力が大きい、最先端CMOS
プロセスと同等な量産微細加工作成装置が事実上入
手できないなど)
Re:もうちょっと調べてからコメントしてね。 (スコア:2, 参考になる)
仰ることに基本的には同意なんだけど、更に細かいツッコミを。
> >この「イリノイ・バイポーラ・トランジスター」は
> >インジウム燐化物およびインジウム・ガリウムひ素
>で作られている。
>
> と書いてあるように、これはGaAsトランジスタです。
うーん。これは InP と InGaAs ということでしょ。GaAs などと同じ類の化合物半導体ということで(おそ らくこの AC 氏はその意図で書いてるんでしょうが)。
> GaAsは化合物半導体であることなどにより、
>
> ・大きな単結晶をつくることが難しい
うーん。確かに「化合物だから」というのは外れてはいないと 思いますが、直接には化合物半導体の多くが line compound (組成の幅が非常に狭い化合物)だから、ということと、化合物 を構成する元素の蒸気圧が非常に高くて組成偏倚をおこしやすい こと、が理由ですよね。
加えて言うと、その原料の多くは有害なものなので、これまた 問題だったりします。
ただ元発言の他の箇所に関してはそんなにはずれていないと 思います。化合物半導体が、たとえば20年前のSi半導体位の 量産に乗ること自体は、ニーズがあればそう遠い日のことでは ないとは思いますけど。
# 一応関係者なのでAC。
Re:もうちょっと調べてからコメントしてね。 (スコア:0)
舌足らずだとしても、指摘箇所に関しても
まちがったことを書いているわけではない
ようにみえますが。
Re:もうちょっと調べてからコメントしてね。 (スコア:0)
ん? ここ [srad.jp] で言ってる「元発言」って これ [srad.jp] のことだと思うんだが。
Re:もうちょっと調べてからコメントしてね。 (スコア:0)
>うーん。これは InP と InGaAs ということでしょ。GaAs などと同じ類の化合物半導体と
>いうことで(おそらくこの AC 氏はその意図で書いてるんでしょうが)。
>うーん。確かに「化合物だから」というのは外れてはいないと思いますが、直接には化合
>物半導体の多くが line compound (組成の幅が非常に狭い化合物)だから、ということ
>と、化合物を構成する元素の蒸気圧が非常に高くて組成偏倚をおこしやすいこと、が理由
>
Re:もうちょっと調べてからコメントしてね。 (スコア:0)
えー、 #431180 [srad.jp] のACです。
> と書いているからとりあえず、まちがっているわけでもないと言ってるわけですよね?
というその箇所ですが、あれはあえて言えば「説明不足」なんです。たとえば GaAs と InP は別のモノですし、化合物であっても 場合によっては比較的容易に単結晶の育成が可能です(現在のあ
Re:もうちょっと調べてからコメントしてね。 (スコア:0)
半導体市場全体におけるシェア(個数ベースでも金額ベースでも)で
言えば、絶対あり得ないと思うんですが…。
Re:もうちょっと調べてからコメントしてね。 (スコア:0)
まぁ一般用途の半導体はやはりSiが幅を利かせ続けるでしょう。 なんてったってあの単結晶育成技術はすさまじいので。ただ、 今後は化合物半導体でなければできないこと、というのは増えて いくだろうから、その筋では伸びるんじゃないですかね。Siニッチ みたいな感じで。
むしろ最近は、ゲルマの特性が見直されてる分野がある位です しね。
Re:もうちょっと調べてからコメントしてね。 (スコア:0)
gallium arsenideですので。
いつも言われてることですけど、もう業界用語になっちまってますね。
化学屋なのでAC