「SunとMicron、NANDフラッシュの書き換え寿命を10倍に延ばす技術を開発」記事へのコメント

100万回でも素の寿命は1年

[Anonymous Coward]

100万回 = 同一箇所を1秒間に100回書き換えると1年ちょっと。

Re:

[Yoh2 (6924)]

NANDフラッシュを使った記録媒体には大抵ウェアレベリング [wikipedia.org]が実装されるでしょうから、同一箇所をそんなに頻繁に書き換えるようなことが起こるとは考えづらいです。
現在のSSDの寿命がどうなっているかを考察したページ [so-net.ne.jp]がありますので参考にしてみて下さい。

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巧妙に潜伏したバグは心霊現象と区別が付かない。

Re:100万回でも素の寿命は1年

[Anonymous Coward]

ウェアレベリングのアルゴリズムはいくつかあります。 たとえばで説明されているものでは ・dynamic wear leveling -「削除済み」と「未使用」領域の中から次に使う領域を見つける ・static wear leveling -書き換え回数の少ない「使用済み」領域のデータを「削除済み」領域へ移動し、元の領域を再利用できるようにする。 の２つがあります。 後者の場合、全領域が平均的に損耗するのに対し 前者の場合、空き容量が少ない状況で使っていると特定領域だけ損耗します。