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【福田昭のセミコン業界最前線】 エルピーダ、2013年に8Gbitの抵抗変化メモリを製品化へ [impress.co.jp]- メモリセルの大きさは、6F^2 と DRAM と同じ水準。- 2013年に 4F^2 に縮小して 8Gビット版の開発を目指す。- 相変化メモリ(PCM)やってたけど、電流小さくできなくてやーめた。- 抵抗変化メモリの記憶素子に選んだ材料は、酸化ハフニウム(HfOx)系で、現有技術と親和性良さそう。
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あと、僕は馬鹿なことをするのは嫌いですよ (わざとやるとき以外は)。-- Larry Wall
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【福田昭のセミコン業界最前線】 エルピーダ、2013年に8Gbitの抵抗変化メモリを製品化へ [impress.co.jp]
- メモリセルの大きさは、6F^2 と DRAM と同じ水準。
- 2013年に 4F^2 に縮小して 8Gビット版の開発を目指す。
- 相変化メモリ(PCM)やってたけど、電流小さくできなくてやーめた。
- 抵抗変化メモリの記憶素子に選んだ材料は、酸化ハフニウム(HfOx)系で、現有技術と親和性良さそう。