「エルピーダ、新たな不揮発性メモリ「ReRAM」の開発に成功」記事へのコメント

2013年ねぇ・・・

[Anonymous Coward]

まあそれまで生き残っていられるといいね。

焦点：難航するエルピーダ再建、複数の提携案も実現に懸念
http://jp.reuters.com/article/topNews/idJPTJE80M00120120123 [reuters.com]

Re:

[Anonymous Coward]

それ以前にコスト的に見合う物になればいいのですけど。

NANDフラッシュの値段下落も激しい物がありますしいくら性能が良くても同容量で値段が10倍とかだと売れないと思いますよ。

Re:

[Anonymous Coward]

ReRAMはまずはDRAMの置き換えを狙っているので比較対象はNANDフラッシュではなく、DRAMでしょう。
（もっとも、DRAMの価格下落も激しいですが・・・）

単なる代替品ではなく、省電力がかなり期待できるのでスマートフォンやタブレット向けなら少々高価でも採用されやすいのでは？

Re:

[Anonymous Coward]

>ReRAMはまずはDRAMの置き換えを狙っているので比較対象はNANDフラッシュではなく、DRAMでしょう。
そうなんですか?
プレスリリースを見てもフラッシュメモリの代替を狙っているようにしか見えませんでしたけど。
>NANDフラッシュメモリなど既存の不揮発性メモリに比べて高速で、書き換え回数も多い新メモリを低コストで提供できれば、
（以上プレスリリースより引用）
等と言う事も書いてありましたし。

ちなみにもしDRAMの代替狙いならなおさら難しいと思いますよ。
不揮発であるというシステムメモリ向けだとそこまで重要ではない機能以外はDRAMとたいして差がないようですから。

Re:2013年ねぇ・・・

[Anonymous Coward]

プレスリリースの最後の一文にDRAMの代替と明記されているんですけど・・・

>エルピーダはDRAMで培った微細加工技術などをさらに発展させ、DRAMの機能を代替しうる将来有望な次世代メモリのReRAMの開発を推進いたします。

Re:

[Anonymous Coward]

それは「将来的に代替できたらいいな」という記述であって、「まずはDRAMの置き換えを狙っている」ではないでしょう。
今DRAM代替を狙うには、書き換え回数100万回じゃ全然足りてない。

Re:

[Anonymous Coward]

書き換えが設計的に有限回数のメモリをDRAMと完全に置き換えるのは無理があると思う。

NAND Flashの10倍の書き換え寿命があると行っても、Flashが10万回程度の寿命(保証寿命)だとしてら10万×10倍で100万回程度？

特定部分を1MHzで毎回書き換えれば1秒で寿命がくるぞ。
メインメモリとして使うDRAMは、用途によってはフルフルで使い続けることが多いだろうし大丈夫なのか？

Re:2013年ねぇ・・・

[Anonymous Coward]

書き換えが設計的に有限回数

ReRAMについては、ここの部分には解決技術が存在します。
新たな原理による強誘電抵抗変化メモリーを開発 [aist.go.jp]

抜粋:強調は引用者による

従来のReRAMは酸化物の酸化還元反応、あるいは酸化物中の酸素欠陥の移動を利用しているが、今回開発したReRAMは酸化物強誘電体の電気分極反転を利用している。この新しい原理によって材料の劣化に起因するデータ書き換え特性や保持特性などの低下を解決できるので、機能性酸化物を用いた高密度不揮発性メモリーの実用化を前進させることが期待される。