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液浸で5nmはどこも実現できてないので残念無念
FinFETの14nm実現出来た時点で、時間かければ7nm相当まで行けるのは分かってたよね。記事でも書かれてる通り7nmまでは製造装置ほとんど同じなので。ただしEUV無しではトリプルパターニングが必要で、コストがかかって性能も歩留まりも悪い。
一方TSMCは既に最下層にEUVを使うN7+やN6に切り替えて、性能向上とコスト削減してる。5nm以降はEUV必須で無理なのもそうだけど、7nm世代でも競争力という点では厳しそう。
技術のツリーに技術で返せないのは残念。例えば国産EUV開発とか、他にも出てるようにEB直描での量産実用化とか、そういうネタでもないの？
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にわかな奴ほど語りたがる -- あるハッカー
EUVが使えないから5nmは期待薄 (スコア:0)
液浸で5nmはどこも実現できてないので
残念無念
Re:EUVが使えないから5nmは期待薄 (スコア:2, 参考になる)
FinFETの14nm実現出来た時点で、時間かければ7nm相当まで行けるのは分かってたよね。
記事でも書かれてる通り7nmまでは製造装置ほとんど同じなので。
ただしEUV無しではトリプルパターニングが必要で、コストがかかって性能も歩留まりも悪い。
一方TSMCは既に最下層にEUVを使うN7+やN6に切り替えて、性能向上とコスト削減してる。
5nm以降はEUV必須で無理なのもそうだけど、7nm世代でも競争力という点では厳しそう。
Re: (スコア:0)
技術のツリーに技術で返せないのは残念。
例えば国産EUV開発とか、他にも出てるようにEB直描での量産実用化とか、そういうネタでもないの？