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と聞くとすごそうに聞こえるが、「スイッチング周波数100MHz以上」と言い換えてみると「（ ´_ゝ`）ﾌｰﾝ」な感じ。
パワー半導体のスイッチング周波数と考えると、普通は数十KHzから数MHz。周波数を上げればLやCを小さく出来るので小型省電力になるが、EMIが大きくなったり変換効率が悪化するため、パワー半導体の場合は周波数が高ければいいというものではない。ダイヤモンド半導体は、パワー半導体の周波数を100MHzまで上げても、EMIや変換効率が実用的というメリットがある。それ以上に周波数を上げないのは、小型化のためにこれ以上LやCを小さくする意味がないからで、出来ないわけではない。
効率とか関係なく、放射電界強度はdI/dtに比例するので、スイッチング周波数高くなればそれだけEMIの問題は難しくなるよ。
ダイヤモンドが究極のパワー半導体と言われてるのは、すべてが高水準だからであって、すべてが最高ではない。スイッチング周波数に関しては、ダイヤモンドとGaNは大差ない。高速なパワー半導体という意味なら、ダイヤモンドを放熱板に使う、GaN-on-Diamond HEMTが一番じゃないかな。
EMIはスイッチング速度が上がると難しくならない？
そのとおりですが、効率の向上は熱やEMIとして無駄になる分が減るので、原理上の期待値としては周波数向上の余地があるのです。
この件のNHKサイエンスZERO取材班の記事が現代ウェブに載っていますね。https://gendai.media/articles/-/107854 [gendai.media]https://gendai.media/articles/-/107855 [gendai.media]
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長期的な見通しやビジョンはあえて持たないようにしてる -- Linus Torvalds
「1億分の1秒を切る時間で切り替えが可能...」 (スコア:1)
と聞くとすごそうに聞こえるが、「スイッチング周波数100MHz以上」と言い換えてみると
「（ ´_ゝ`）ﾌｰﾝ」な感じ。
Re:「1億分の1秒を切る時間で切り替えが可能...」 (スコア:2, 参考になる)
パワー半導体のスイッチング周波数と考えると、普通は数十KHzから数MHz。
周波数を上げればLやCを小さく出来るので小型省電力になるが、EMIが大きくなったり変換効率が悪化するため、パワー半導体の場合は周波数が高ければいいというものではない。
ダイヤモンド半導体は、パワー半導体の周波数を100MHzまで上げても、EMIや変換効率が実用的というメリットがある。
それ以上に周波数を上げないのは、小型化のためにこれ以上LやCを小さくする意味がないからで、出来ないわけではない。
Re:「1億分の1秒を切る時間で切り替えが可能...」 (スコア:1)
効率とか関係なく、放射電界強度はdI/dtに比例するので、スイッチング周波数高くなればそれだけEMIの問題は難しくなるよ。
ダイヤモンドが究極のパワー半導体と言われてるのは、すべてが高水準だからであって、すべてが最高ではない。
スイッチング周波数に関しては、ダイヤモンドとGaNは大差ない。
高速なパワー半導体という意味なら、ダイヤモンドを放熱板に使う、GaN-on-Diamond HEMTが一番じゃないかな。
Re: (スコア:0)
EMIはスイッチング速度が上がると難しくならない？
Re: (スコア:0)
そのとおりですが、効率の向上は熱やEMIとして無駄になる分が減るので、原理上の期待値としては周波数向上の余地があるのです。
この件のNHKサイエンスZERO取材班の記事が現代ウェブに載っていますね。
https://gendai.media/articles/-/107854 [gendai.media]
https://gendai.media/articles/-/107855 [gendai.media]